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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0026350 (2011-03-24) |
공개번호 | 10-2012-0109036 (2012-10-08) |
등록번호 | 10-1195040-0000 (2012-10-22) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110026350 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-03-24) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 태양전지 및 태양전지의 제조방법에 관한 것으로써, 전극 형성을 위한 소성공정(firing) 처리 후 패시베이션효과가 감소되는 것을 막기 위해, 원자층증착법(ALD)를 이용하여 TiO2 패시베이션층을 형성하는 태양전지의 제조방법이 제공된다. 이를 통해 전자-정공 쌍의 재결합에 의한 표면손실을 줄임으로써 에너지변환 효율이 높은 태양전지를 제조할 수 있다.
제1도전형 기판에 제2도전형의 접합층을 형성하는 단계;상기 제2도전형의 접합층 위에 전자-정공 쌍의 재결합에 의한 표면손실을 줄이기 위한 TiO2층을 형성하는 단계; 및상기제2도전형의 접합층 위에 위치하는 전면전극 및 상기 제1도전형 기판의 후면에서 상기 제1도전형 기판과 접촉하는 후면전극을 형성하는 단계; 를 포함하는 태양전지 제조방법.
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