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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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| 국제특허분류(IPC9판) |
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| 출원번호 | 10-2011-0041792 (2011-05-03) |
| 공개번호 | 10-2012-0124121 (2012-11-13) |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020110041792 |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2011-05-03) |
| 심사진행상태 | 거절결정(일반) |
| 법적상태 | 거절 |
본원은, 금속 나노입자가 형성된 산화물 나노선을 포함하는 화학 나노센서의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 방법에 의하여 제조된화학 나노센서는 금속 나노입자의 표면적(Sm)과 상기 산화물 나노선의 표면적(SNW)의 비(Sm/SNW)를 제어함으로써 화학 나노센서의 기체 분자에 대한 감응성을 향상시킬 수 있다.
기판에 형성된 전극 상에 촉매층을 형성하고;상기 촉매층 상에 산화물 나노선을 형성하고; 및,상기 산화물 나노선이 형성된 상기 기판을 금속염 전구체-함유 용액에 침지시킨 후 상기 금속염 전구체-함유 용액에 감마선을 조사함으로써, 상기 산화물 나노선 상에 금속 나노입자를 형성하는 것: 을 포함하며,상기 감마선의 조사선량(D), 상기 감마선의 조사 시간(t), 또는 상기 금속염 전구체-함유 용액의 금속염 전구체 농도(C)를 조절함으로써 상기 산화물 나노선 상에 형성되는 상기 금속 나노입자의 크기 또는 형성 밀도가 제어되는 것인, 화학 나
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