[특허]나노소재를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법

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나노소재를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC9판)	G01N-027/12 B81C-001/00
출원번호	10-2006-0139173 (2006-12-30)
공개번호	10-2008-0062964 (2008-07-03)
등록번호	10-0961988-0000 (2010-05-31)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020060139173
발명자 / 주소	주병권 / 서울 종로구 평창동 *-번지 이진우 / 서울 광진구 중곡동 -* 이종흔 / 경기 과천시 별양동 번지 주공단지 *동 호 이경수 / 서울 강서구 등촌동 미주진로아파트 *동 *호
출원인 / 주소	고려대학교 산학협력단 / 서울 성북구 안암동가 고려대학교 내
대리인 / 주소	특허법인충현
심사청구여부	있음 (2007-12-27)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	소멸

초록 ▼

나노소재를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법이 제공된다.본 발명에 따른 나노소재를 이용한 기체 센서는 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막이 차례로 증착되어 있는 반도체 기판과; 상기 실리콘 질화막 상에 형성된 복수개의 IDE 패턴 형태의 히터 어레이로 이루어진 히터전극과; 상기 히터전극 상에 형성되며, 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 절연층과; 상기 절연층 상에 형성된 복수개의 IDE 패턴 형태의 센서 어레이로 이루어진 센서전극과; 상기 센서전극 상에 형성되며, 나노튜브 또는 나노선이 상기 센서전극과 전기적으로 접촉하도록 분산되어 있는 감지부; 및 상기 감지부 및 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 상부 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 기체 센서는 하나의 센서로서 다양한 오염 기체를 고감도로 감지할 수 있고, 성능의 재현성이 우수하다.

대표청구항 ▼

실리콘 산화막 및 실리콘 질화막이 차례로 증착되어 있는 반도체 기판; 상기 실리콘 질화막 상에 형성된 복수개의 IDE 패턴 형태의 히터 어레이로 이루어진 히터전극; 상기 히터전극 상에 형성되며, 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 절연층; 상기 절연층 상에 형성된 복수개의 센서 어레이로 이루어진 센서전극;상기 센서전극 상에 형성되며, 나노튜브 또는 나노선이 상기 센서전극과 전기적으로 접촉하도록 분산되어 있는 감지부; 및 상기 감지부 및 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 상부 보호층을 포함하고,상기 센서 어레이는 IDE

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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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