[특허]ＢＣＤＭＯＳ 소자 및 그 제조방법

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IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/72 H01L-021/336 H01L-029/78
출원번호	10-2012-0011487 (2012-02-03)
공개번호	10-2013-0090286 (2013-08-13)
등록번호	10-1899556-0000 (2018-09-11)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020120011487
발명자 / 주소	박성근 / 충북 청주시 흥덕구 대신로번길 , *동 **호 (복대동, 청주금호어울림아파트)
출원인 / 주소	에스케이하이닉스 시스템아이씨 주식회사 / 충청북도 청주시 흥덕구 대신로 *** (향정동)
대리인 / 주소	특허법인아주
심사청구여부	있음 (2017-01-25)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록 ▼

간단한 공정으로 LDMOS 소자의 낮은 온 저항(Ron) 특성을 확보하고, 로직 영역의 고밀도를 구현할 수 있는 BCDMOS 소자와 그 제조방법이 개시된다.본 발명의 BCDMOS 소자의 제조방법은, 소자의 스위칭 컨트롤을 위한 로직(logic) 소자가 형성될 로직 영역과 고전력 소자가 형성될 고전압 영역을 포함하는 제1 도전형의 반도체기판의 선택된 영역에 제1 도전형의 불순물 영역들과 제2 도전형의 불순물 영역들을 형성하는 단계와, 웰 영역들이 형성된 반도체기판 상에, 소자분리막이 형성될 영역을 한정하는 마스크층을 형성하는 단계와, 마스크층에 의해 노출된 영역의 반도체기판에 트렌치 소자분리막을 형성하는 단계와, 고전력 소자의 필드 절연층이 형성될 영역을 노출하도록 마스크층을 식각하는 단계와, 트렌치 소자분리막이 치밀화(densification)되도록 반도체기판을 열처리하는 단계와, 마스크층을 제거한 후, 반도체기판의 선택된 영역에 제1 도전형의 웰 영역 및 제2 도전형의 웰 영역들을 형성하는 단계, 및 반도체기판 상에 로직 소자 및 고전력 소자의 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.

대표청구항

동일 기판 상에 스위칭 컨트롤을 위한 로직(logic) 소자가 형성된 로직 영역과 고전압 소자가 형성된 고전압 영역을 포함하는 BCDMOS 소자에 있어서,상기 로직 영역 및 고전압 영역의 반도체기판에 형성된 트렌치와, 상기 트렌치를 채우는 절연막으로 이루어진 소자분리막; 및상기 고전압 영역의 반도체기판 표면에 형성되며, 상기 반도체기판의 선택적산화에 의해 형성된 필드 절연층을 포함하되,상기 필드 절연층은 상기 반도체기판의 표면으로부터 상부 및 하부로 각각 60:40의 두께 비율로 형성되는 것을 특징으로 하는 BCDMOS 소자.

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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