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연합인증

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AEC-Q100을 만족하는 BCDMOS 기반 자동차용 반도체 공정 및 관련 핵심 IP 개발 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 SK하이닉스
연구책임자 이진용
보고서유형최종보고서
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2017-04
과제시작연도 2016
주관부처 산업통상자원부
Ministry of Trade, Industry and Energy
등록번호 TRKO201800040119
과제고유번호 1711041100
사업명 전자정보디바이스산업원천기술개발
DB 구축일자 2018-10-13
키워드 비씨디모스.수평형 이중확산 금속산화물접합 반도체.항복전압.단위면적당 전도저항.안전 동작 영역.정전방전.스파이스 모형화.다중 프로그램형 메모리.공정 설계 도구.차량용 반도체.선형 전원 공급 반도체.반도체 규격.반도체 공정.설계 자산.자동차용 반도체.차량용 통신 인터페이스.차량용 전원 공급칩.차량용 아날로그 설계 자산.자동차용 인터페이스 설계 자산.캔 인터페이스.린 인터페이스.아이스퀘어씨 인터페이스.발광 다이오드 구동 집적회로.아날로그 IP.아날로그 입력단.아날로그-디지털 변환기.디지털-아날로그 변환기.센서 인터페이스.자동차용 이더넷 인터페이스.클럭발생회.

초록

□ 핵심기술
o 0.13um 1.5V/6V/60V/90V 자동차용 BCDMOS 공정 및 0.13um BCDMOS 공정에 의한 자동차용 핵심 IP 기술

□ 최종목표
o AEC-Q100의 요구조건을 만족하는 130nm 1.5V/6V/60V/90V의 고신뢰성 소자를 가진 BCDMOS technology 개발 및 Automotive Power IP/IC 설계에 적합한 최적의 Design Interface 환경구축 및 PDK 개발, AEC-Q100을 만족하는 BCDMOS 기반 자동차용 반도체 공정 및 관련 핵심 IP

목차 Contents

  • 표지 ... 1
  • 제 출 문 ... 2
  • 기술개발사업 최종보고서 초록 ... 3
  • 기술개발사업 주요 연구성과 ... 13
  • 목차 ... 23
  • 제 1 장 서론 ... 24
  • 제 1 절 과제의 개요 ... 24
  • 제 2 장 과제 수행의 내용 및 결과(기술개발 내용 및 방법) ... 25
  • 제 1 절 최종 목표 및 평가 방법 ... 25
  • 제 2 절 단계 목표 및 평가 방법 ... 32
  • 제 3 절 연차별 개발 내용 및 개발 범위 ... 40
  • (1) 1차년도 ... 40
  • (2) 2차년도 ... 50
  • (3) 3차년도 ... 58
  • (4) 4차년도 ... 63
  • 제 4 절 수행 결과의 보안등급 ... 69
  • 제 5 절 유형적 발생품(연구시설, 연구장비 등) 구입 및 관리현황 ... 69
  • 제 3 장 결과 ... 71
  • 제 1 절 연구개발 최종 결과 ... 71
  • 가. 연구개발 추진 일정 및 실적 ... 71
  • 나. 기술개발 결과의 유형 및 무형 성과물 ... 81
  • 제 2 절 연구개발 추진 체계 ... 89
  • 1. 기관/기업별 역할 및 추진 내역 ... 89
  • 2. 기술개발 추진방법 및 체계 ... 90
  • 제 3 절 고용 창출 효과 ... 92
  • 제 4 절 자체보안관리진단표 ... 92
  • 제 4 장 사업화 계획 ... 93
  • 제 1 절 시장 현황 및 전망 ... 93
  • 제 2 절 사업화 계획 ... 93
  • 제 3 절 향후 추가 기술 개발 계획(개발기술 응용 등) ... 94
  • 부 록 : 시험성적서, 도면, 설계도 등 ... 99
  • 끝페이지 ... 111

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참고문헌 (25)

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