초록 ▼

본 발명은 전해증착을 이용해 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료를 형성하는 방법에 관한 것으로, 전해액에 양극과 음극을 침지하는 단계; 및 상기 침지된 양극과 음극에 순방향의 전류를 인가하는 펄스전류 단계와 역방향의 전류를 인가하는 리버스전류 단계를 반복 실시하여 상기 음극 표면에 구리를 전해 증착하는 단계를 포함한다.본 발명에 의하면 전해증착 공정으로 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료를 형성함에 있어서 종래의 방법에 비하여 형성시간을 크게 단축할 수 있는 효과가 있다.나아가 저렴한 전해증착 공정을 이용하여 나노쌍정 구조가 형성된 구리재

본 발명은 전해증착을 이용해 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료를 형성하는 방법에 관한 것으로, 전해액에 양극과 음극을 침지하는 단계; 및 상기 침지된 양극과 음극에 순방향의 전류를 인가하는 펄스전류 단계와 역방향의 전류를 인가하는 리버스전류 단계를 반복 실시하여 상기 음극 표면에 구리를 전해 증착하는 단계를 포함한다.본 발명에 의하면 전해증착 공정으로 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료를 형성함에 있어서 종래의 방법에 비하여 형성시간을 크게 단축할 수 있는 효과가 있다.나아가 저렴한 전해증착 공정을 이용하여 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료를 빠르게 대량생산할 수 있는 효과가 있다.최종적으로 전해증착 공정을 통해 대량으로 형성된 나노쌍정 구조 형성 구리를 각종 전자 소자의 배선재료로 사용할 수 있게 되어, 전자 소자의 성능이 향상되는 효과가 있다.

대표청구항

전해증착을 이용해 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료를 형성하는 방법으로서,전해액에 양극과 음극을 침지하는 단계; 및상기 침지된 양극과 음극에 순방향의 전류를 인가하는 포워드펄스 단계와 역방향의 전류를 인가하는 리버스펄스 단계를 반복 실시하여 상기 음극 표면에 구리를 전해 증착하며,상기 리버스펄스 단계에서 인가되는 역방향 전류의 전류밀도가 2~30mA/cm2 범위이고, 역방향의 전류를 인가하는 시간이 0.01초 이상인 것을 특징으로 하는 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료의 형성방법.

전해증착을 이용해 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료를 형성하는 방법으로서,전해액에 양극과 음극을 침지하는 단계; 및상기 침지된 양극과 음극에 순방향의 전류를 인가하는 포워드펄스 단계와 역방향의 전류를 인가하는 리버스펄스 단계를 반복 실시하여 상기 음극 표면에 구리를 전해 증착하며,상기 리버스펄스 단계에서 인가되는 역방향 전류의 전류밀도가 2~30mA/cm2 범위이고, 역방향의 전류를 인가하는 시간이 0.01초 이상인 것을 특징으로 하는 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료의 형성방법.