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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-0051552 (2012-05-15) | |
공개번호 | 10-2013-0127781 (2013-11-25) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120051552 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2012-05-15) | |
심사진행상태 | 거절결정(재심사) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 기재, 상기 기재 위에 형성되는 제1전극층, 및 상기 제1전극층 상부 및/또는 하부에 형성되는 그래핀 옥사이드층을 포함하는 투명 전극 및 이를 포함하는 전자 재료에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명 전극은 전도체 및/또는 반도체의 상부 및 하부에 그래핀 옥사이드층을 포함함으로써 서로 떨어져 있는 전도체 및/또는 반도체와 전도체 및/또는 반도체 사이에서는 절연체 특성을 나타내지만, 그래핀 옥사이드층을 포함하는 투명 전극에서 그래핀 옥사이드층의 표면에서 측정한 저항은 전도체 및/또는 반도체의 저항을 거의 그대로 유지하는 효
기재, 상기 기재 위에 형성되는 제1전극층, 및 상기 제1전극층 상부 및/또는 하부에 그래핀 옥사이드층을 포함하는 투명 전극.
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