[특허]질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법

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[한국특허] 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법
Nitride-based heterojuction semiconductor device and method for the same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허	크게보기
국제특허분류(IPC9판)	H01L-029/775 H01L-021/335
출원번호	10-2012-0062601 (2012-06-12)
공개번호	10-2013-0138992 (2013-12-20)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020120062601
발명자 / 주소	장태훈 / 서울특별시 서초구 우면동 번지 LG전자 전자기술원 석오균 / 서울특별시 관악구 대학동 서울대학교 동 *호 한민구 / 서울특별시 관악구 대학동 서울대학교 동 ***호
출원인 / 주소	엘지전자 주식회사 / 서울특별시 영등포구 여의대로 *** (여의도동) 서울대학교산학협력단 / 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
대리인 / 주소	박영복; 김용인
심사진행상태	취하(심사미청구)
법적상태	취하

초록

본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 질화물 반도체 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 장벽층; 상기 장벽층 상에 위치하는 캡층; 상기 캡층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 캡층 상의 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 갈륨을 포함하는 유전체 층; 및 상기 캡층 상의 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하여 구성된다.

대표청구항

질화물 반도체 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하는 장벽층;상기 장벽층 상에 위치하는 캡층;상기 캡층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 캡층 상의 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 갈륨을 포함하는 유전체 층; 및 상기 캡층 상의 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자.

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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