초록 ▼

게이트 라인의 하부 절단 및 실리콘 아일랜드의 표면으로부터 실리콘 산화층의 제거없이 폴리실리콘의 에칭 과 게이트 라인 사이에 형성된 스트링거를 제거한다.기판(12) 표면(14)에 단결정 실리콘 아일랜드(16)를 갖는 소자(10)에 대해 도우핑된 폴리실리콘층(20)을 형성한다. 또 금속 실리사이드층(22)을 증착하여 이중층 폴리사이드(23)를 형성한다. 이어 포토레지스트층(4)을 이용한 게이트 라인 형성의 마스킹 영역을 정의하고 질소, 염소 및 클로로포름으로 구성된 가스 혼합물을 통해 전류를 인가하여 플라즈마를 발생시킨다. 노출부분을

게이트 라인의 하부 절단 및 실리콘 아일랜드의 표면으로부터 실리콘 산화층의 제거없이 폴리실리콘의 에칭 과 게이트 라인 사이에 형성된 스트링거를 제거한다.기판(12) 표면(14)에 단결정 실리콘 아일랜드(16)를 갖는 소자(10)에 대해 도우핑된 폴리실리콘층(20)을 형성한다. 또 금속 실리사이드층(22)을 증착하여 이중층 폴리사이드(23)를 형성한다. 이어 포토레지스트층(4)을 이용한 게이트 라인 형성의 마스킹 영역을 정의하고 질소, 염소 및 클로로포름으로 구성된 가스 혼합물을 통해 전류를 인가하여 플라즈마를 발생시킨다. 노출부분을 실리콘 산화층 및 기판의 표면에서 에칭하고, 마스킹 스트립 밑의 게이트 라인의 측벽에 중합체 코팅부가 도포되도록 한다. 이어 불활성 가스, 염소 또 산소 및 탄소가 포함된 가스를 이용한 플라즈마 에칭을 실시하여 게이트 라인 사이의 아일랜드 측벽을 따라 연장하는 다결정 실리콘스트링거를 제거한다.

대표청구항 ▼

다결정 실리콘을 포함하는 층으로, 기판의 실리콘 아일랜드 상부에 증착되는 층를 플라즈마 에칭하는 방법에 있어서, a) 상기 층의 일부분을 마스킹 층으로 도포하는 단계와 ; b) 질소, 염소 및 클로로포름으로 구성된 가스 혼합물에 상기 층의 노출부분을 접촉시키고, 플라즈마가 발생되도록 상기 가스를 통해 전류를 인가하여 상기층의 노출부분을 에칭하고, 상기 층의 나머지 부분의 노출벽은 얇은 중합체 층으로 도포하는 단계와 ; c) 불활성 가스, 염소 그리고 산소 및 탄소가 포함된 가스의 혼합물에 다결정층을 접촉시키고 플라스마가 발생되도록

다결정 실리콘을 포함하는 층으로, 기판의 실리콘 아일랜드 상부에 증착되는 층를 플라즈마 에칭하는 방법에 있어서, a) 상기 층의 일부분을 마스킹 층으로 도포하는 단계와 ; b) 질소, 염소 및 클로로포름으로 구성된 가스 혼합물에 상기 층의 노출부분을 접촉시키고, 플라즈마가 발생되도록 상기 가스를 통해 전류를 인가하여 상기층의 노출부분을 에칭하고, 상기 층의 나머지 부분의 노출벽은 얇은 중합체 층으로 도포하는 단계와 ; c) 불활성 가스, 염소 그리고 산소 및 탄소가 포함된 가스의 혼합물에 다결정층을 접촉시키고 플라스마가 발생되도록 상기 가스를 통해 전류를 인가하여 아일랜드 측벽에 남아 있는 층의 임의의 스트링거를 에칭하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭방법.