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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2012-0071152 (2012-06-29) | |
| 공개번호 | 10-2014-0003865 (2014-01-10) | |
| 등록번호 | 10-1910499-0000 (2018-10-16) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020120071152 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2017-06-12) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 기술은 스페이서패터닝기술 또는 더블패터닝기술을 사용하지 않고도 반도체 장치가 요구하는 선폭을 갖는 오픈부를 형성할 수 있는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 기판상에 몰드막을 형성하는 단계; 상기 몰드막을 선택적으로 식각하여 예비 오픈부를 형성하는 단계; 상기 예비 오픈부의 측벽에 희생막을 형성하여 상기 예비 오픈부보다 선폭이 감소된 오픈부를 형성하는 단계; 상기 오픈부 내부에 스토리지노드를 형성하는 단계; 상기 몰드막 및 상기 희생막을 선택적으로 식각하여 상기 몰드막 위로 상기 스토리지노드를 돌출시키는
기판 상에 스토리지노드콘택플러그를 형성하는 단계;상기 스토리지노드콘택플러그 상에 식각정지막을 형성하는 단계;상기 식각정지막 상에 몰드막을 형성하는 단계;상기 몰드막을 선택적으로 식각하여 예비 오픈부를 형성하는 단계;상기 예비 오픈부의 측벽에 희생막을 형성하여 상기 예비 오픈부보다 선폭이 감소된 오픈부를 형성하는 단계;상기 오픈부 저면의 식각정지막을 식각하여 상기 스토리지노드콘택플러그를 오픈시키는 단계;상기 오픈부 내부에 스토리지노드를 형성하는 단계;상기 몰드막 및 상기 희생막을 선택적으로 식각하여 상기 몰드막 위로 상기 스토리지노드
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