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연합인증

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포토레지스트용 스트리퍼 조성물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • G03F-007/42
  • H01L-021/027
출원번호 10-2012-0095892 (2012-08-30)
공개번호 10-2013-0025830 (2013-03-12)
등록번호 10-1682005-0000 (2016-11-28)
우선권정보 대한민국(KR) 1020110089175 (2011-09-02)
DOI http://doi.org/10.8080/1020120095892
발명자 / 주소
  • 한희 / 대전 유성구 대덕대로***번길 **, *동 ***호 (도룡동, LG화학사원아파트)
  • 김경준 / 대전 유성구 가정로 ***, **동 ***호 (가정동, 과기대교수아파트)
  • 신보라 / 서울 마포구 희우정로 ***, (망원동)
출원인 / 주소
  • 주식회사 엘지화학 / 서울특별시 영등포구 여의대로 *** (여의도동)
대리인 / 주소
  • 유미특허법인
심사청구여부 있음 (2014-01-28)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

본 발명은 제조 공정을 단순화시킴과 아울러 제조 공정 시간을 줄일 수 있는 p-n 접합 기판 제조에 사용되는 수평형/수직형 디바이스 형성을 위한 포토레지스트용 스트리퍼(stripper) 조성물, 이를 사용하는 포토레지스트의 박리 방법과 이를 통해 제조되는 액정표시장치 또는 반도체 소자에 관한 것이다.

대표청구항

a) 수용성 유기 아민 화합물로서, 모노에탄올 아민, N-메틸아미노에탄올, 및 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 5 내지 30 중량%로 포함하고;b) 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물로서, 디에틸렌글리콜 t-부틸에테르를 0.01 내지 20 중량%로 포함하고; c) 비양자성 용매로서, N-메틸피롤리돈로 15 내지 50 중량%로 포함하고, 추가로 N-메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드, 및 디메틸아세트아마이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 34 내지 59 중량%로 포함하고;d

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 포지티브형 포토레지스트 조성물용 현상액 | 다나까하쯔유끼, 사또요시유끼, 고하라히데가쯔, 나까야마도시마사
  2. [한국] 구리 배선용 포토레지스트 스트리퍼 조성물 | 하용준, 서성우, 박민춘, 윤선영
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