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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2012-0137269 (2012-11-29) | |
등록번호 | 10-1386135-0000 (2014-04-10) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020120137269 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2012-11-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 SiC와 SiO2계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법에 관한 것으로, SiC와 SiO2계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법의 제조방법에 있어서, 질소원자가 포함된 기체를 플라즈마 상태에서 분해하여 이로부터 생성된 질소원자, 질소이온, 또는 질소를 포함한 라디칼(radical)을 SiC 표면에 흡착 및 반응시키는 제 1단계와; 상기 제1단계를 거친 후 SiC 표면에 SiO2막을 형성하는 제 2단계;를 포함하여 구성되는 SiC와 SiO2계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법을 기술적 요지로 한다
SiC와 SiO2 계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법의 제조방법에 있어서, 질소원자가 포함된 기체를 플라즈마 상태에서 분해하여 이로부터 생성된 질소원자, 질소이온, 또는 질소를 포함한 라디칼(radical)을 SiC 표면에 흡착 및 반응시키는 제 1단계와; 상기 제1단계를 거친 후 SiC 표면에 SiO2막을 형성하는 제 2단계;를 포함하여 구성되되, 상기 질소 원자가 포함된 기체는 NO, N2O, N2, NH3 중 하나 이상이 사용됨을 특징으로 하는 SiC와 SiO2 계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법.
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