초록 ▼

본 발명은 SiC와 SiO2계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법에 관한 것으로, SiC와 SiO2계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법의 제조방법에 있어서, 질소원자가 포함된 기체를 플라즈마 상태에서 분해하여 이로부터 생성된 질소원자, 질소이온, 또는 질소를 포함한 라디칼(radical)을 SiC 표면에 흡착 및 반응시키는 제 1단계와; 상기 제1단계를 거친 후 SiC 표면에 SiO2막을 형성하는 제 2단계;를 포함하여 구성되는 SiC와 SiO2계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법을 기술적 요지로 한다

본 발명은 SiC와 SiO2계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법에 관한 것으로, SiC와 SiO2계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법의 제조방법에 있어서, 질소원자가 포함된 기체를 플라즈마 상태에서 분해하여 이로부터 생성된 질소원자, 질소이온, 또는 질소를 포함한 라디칼(radical)을 SiC 표면에 흡착 및 반응시키는 제 1단계와; 상기 제1단계를 거친 후 SiC 표면에 SiO2막을 형성하는 제 2단계;를 포함하여 구성되는 SiC와 SiO2계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 실리콘 카바이드(SiC) 표면에 질소원자를 함유하는 기체들을 포함하는 혼합기체의 플라즈마로 직접 표면처리를 실시하고, 플라즈마 표면처리가 완료된 SiC 위에 SiO2 막을 증착시킴에 의해, 질소원자를 함유하는 기체들의 기체분자가 플라즈마 상태에서 효율적으로 원자 또는 이온으로 분해되어 SiC 표면에 직접 투사되어 SiC와 SiO2계면의 계면준위를 감소시키는 이점이 있다.

대표청구항

SiC와 SiO2 계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법의 제조방법에 있어서, 질소원자가 포함된 기체를 플라즈마 상태에서 분해하여 이로부터 생성된 질소원자, 질소이온, 또는 질소를 포함한 라디칼(radical)을 SiC 표면에 흡착 및 반응시키는 제 1단계와; 상기 제1단계를 거친 후 SiC 표면에 SiO2막을 형성하는 제 2단계;를 포함하여 구성되되, 상기 질소 원자가 포함된 기체는 NO, N2O, N2, NH3 중 하나 이상이 사용됨을 특징으로 하는 SiC와 SiO2 계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법.

SiC와 SiO2 계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법의 제조방법에 있어서, 질소원자가 포함된 기체를 플라즈마 상태에서 분해하여 이로부터 생성된 질소원자, 질소이온, 또는 질소를 포함한 라디칼(radical)을 SiC 표면에 흡착 및 반응시키는 제 1단계와; 상기 제1단계를 거친 후 SiC 표면에 SiO2막을 형성하는 제 2단계;를 포함하여 구성되되, 상기 질소 원자가 포함된 기체는 NO, N2O, N2, NH3 중 하나 이상이 사용됨을 특징으로 하는 SiC와 SiO2 계면의 계면준위가 감소된 SiC 소자의 제조방법.