초록

본 발명은 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판의 실리콘 질화막(SiNx) 상에 하프톤을 형성하는 공정을 포함하는 기판의 미세패턴형성용 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.본 발명의 포토레지스트 조성물은 상온 안정성이 뛰어나며, 변색이 적어 투과도가 우수하며, 실리콘 질화막과의 접착력이 우수하여 HMDS 공정을 생략하여도 미세화된 패턴의 현상공정시 유실이 발생하거나, 후공정시 패턴의 무너짐이 발생할 우려가 없다.

대표청구항 ▼

(a) ⅰ) 불포화 카르본산 또는 그 무수물; ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물; 및 ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물을 중합하여 제조한 중량평균분자량이 5000 내지 7000인 아크릴계 공중합체 10 내지 30 중량%;(b) 말단기에 이소시아네이트기(-NCO)를 함유하는 실란커플링제 0.1-2 중량%;(c) 감광제 1 내지 15 중량%; 및(d) 잔량의 용매를 포함하고,상기 감광제는 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 또는 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르인 것을 특징으로 하는 유기절

(a) ⅰ) 불포화 카르본산 또는 그 무수물; ⅱ) 에폭시기 함유 불포화 화합물; 및 ⅲ) 올레핀계 불포화 화합물을 중합하여 제조한 중량평균분자량이 5000 내지 7000인 아크릴계 공중합체 10 내지 30 중량%;(b) 말단기에 이소시아네이트기(-NCO)를 함유하는 실란커플링제 0.1-2 중량%;(c) 감광제 1 내지 15 중량%; 및(d) 잔량의 용매를 포함하고,상기 감광제는 1,2-퀴논디아지드 4-술폰산 에스테르, 1,2-퀴논디아지드 5-술폰산 에스테르, 또는 1,2-퀴논디아지드 6-술폰산 에스테르인 것을 특징으로 하는 유기절연막용 포토레지스트 조성물.