박찬혁
/ 서울 영등포구 당산로 ***, ***동 ***호 (당산동*가, 삼성래미안*차아파트)
문주호
/ 서울 서대문구 연희로**나길 *, (연희동)
우규희
/ 서울 마포구 신촌로 ***, ****호 (노고산동, 신촌포스빌)
김영우
/ 대구 북구 칠곡중앙대로 ***-**, (읍내동)
김인혁
/ 서울 서대문구 성산로 ***-**, ***호 (신촌동)
출원인 / 주소
삼성정밀화학 주식회사 / 울산광역시 남구 여천로***번길 ** (여천동)
연세대학교 산학협력단 / 서울특별시 서대문구 연세로 **, 연세대학교 (신촌동)
대리인 / 주소
특허법인 티앤아이
심사진행상태
취하(심사미청구)
법적상태
취하
초록▼
본 발명은 금속 나노입자의 전구체로서 하기 식으로 표현되는 금속 전구체를 캡핑화제(capping agent)에 용해시켜 반응액을 제조한 후, 이를 250 내지 350 ℃의 반응 온도에서 1 내지 4 시간 동안 반응시킴으로써 금속 나노입자를 제조하는 방법에 관한 것이다: [식 1]상기 식에서 M은 Cu, Ni, Fe, Co, Zn, Cr 또는 Mn이고, m=1~5이고, R은 이며, 복수의 R은 동일 또는 상이할 수 있다.(여기서, X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.)본 발명은
본 발명은 금속 나노입자의 전구체로서 하기 식으로 표현되는 금속 전구체를 캡핑화제(capping agent)에 용해시켜 반응액을 제조한 후, 이를 250 내지 350 ℃의 반응 온도에서 1 내지 4 시간 동안 반응시킴으로써 금속 나노입자를 제조하는 방법에 관한 것이다: [식 1]상기 식에서 M은 Cu, Ni, Fe, Co, Zn, Cr 또는 Mn이고, m=1~5이고, R은 이며, 복수의 R은 동일 또는 상이할 수 있다.(여기서, X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.)본 발명은 전구체의 농도, 반응 온도 및 시간을 조절하는 것으로 생성되는 나노입자의 입도 및 형태를 제어할 수 있다. 또한 합성 과정에서 입자의 산화도 및 전기적 물성을 제어할 수 있다. 본 발명은 가격적으로 저렴한 금속의 나노입자를 대량 생산할 수 있는 방법을 제공한다.
대표청구항
하기 식으로 표현되는 금속 전구체를 250 내지 350 ℃의 반응 온도에서 1 내지 4 시간 동안 캡핑화제(capping agent)와 반응시키는 단계를 포함하는 금속 나노입자의 제조방법:[식 1]상기 식에서 M은 Cu, Ni, Fe, Co, Zn, Cr 또는 Mn이고, m=1~5이고, R은 이며, 복수의 R은 동일 또는 상이할 수 있다.(여기서, X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.)
하기 식으로 표현되는 금속 전구체를 250 내지 350 ℃의 반응 온도에서 1 내지 4 시간 동안 캡핑화제(capping agent)와 반응시키는 단계를 포함하는 금속 나노입자의 제조방법:[식 1]상기 식에서 M은 Cu, Ni, Fe, Co, Zn, Cr 또는 Mn이고, m=1~5이고, R은 이며, 복수의 R은 동일 또는 상이할 수 있다.(여기서, X는 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 또는 할로겐이며, n은 0 내지 23의 정수이다.)
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