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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0162866 (2016-12-01) | |
공개번호 | 10-2016-0142271 (2016-12-12) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160162866 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
법적상태 | 취하 |
본 발명은 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극에 관한 것이다. 상세하게는, 구리 나노와이어를 포함하는 조성물을 기판 상에 코팅하는 단계; 및 상기 기판 상에 코팅된 구리 나노와이어를 10 내지 1000 mm/s의 스캐닝 속도로 레이저 주사하는 단계;를 포함하는 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극의 제조방법에 따르면, 기판에 코팅된 구리 나노와이어를 단시간에 레이저 주사함으로써, 구리 나노와
20ml 이소프로판올에 10% 무게 비율로 구리 나노와이어가 포함되어 있는 용액에서 25㎕를 사용하여 구리 나노와이어를 기판 상에 코팅하는 단계; 및상기 기판 상에 코팅된 구리 나노와이어에 532 nm의 파장을 갖는 레이저를 100 mW의 파워 및 100 mm/s의 스캐닝 속도로 60 초 동안 2D 갈바노 미러(galvanomirror)를 사용하여 상온 및 공기 중에서 레이저 주사하여 95 %의 투과도 및 47.2 Ω/sq의 면저항을 갖는 투명전극을 제조하는 단계;를 포함하는 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극의 제조방법.
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