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연합인증

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구리 나노와이어를 포함하는 투명전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01B-005/14
  • G02B-001/116
  • G06F-003/041
  • H01B-013/00
출원번호 10-2016-0162866 (2016-12-01)
공개번호 10-2016-0142271 (2016-12-12)
DOI http://doi.org/10.8080/1020160162866
발명자 / 주소
  • 고승환 / 서울특별시 관악로 관악로 * 서울대학교 ***동 ***-*호
  • 한승용 / 서울특별시 관악구 관악로 * 서울대학교 ***동 ***-*호
  • 홍석준 / 서울특별시 관악구 관악로 * 서울대학교 ***동 ***-*호
출원인 / 주소
  • 서울대학교산학협력단 / 서울특별시 관악구 관악로 * (신림동)
대리인 / 주소
  • 이원희
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극에 관한 것이다. 상세하게는, 구리 나노와이어를 포함하는 조성물을 기판 상에 코팅하는 단계; 및 상기 기판 상에 코팅된 구리 나노와이어를 10 내지 1000 mm/s의 스캐닝 속도로 레이저 주사하는 단계;를 포함하는 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극의 제조방법에 따르면, 기판에 코팅된 구리 나노와이어를 단시간에 레이저 주사함으로써, 구리 나노와

대표청구항

20ml 이소프로판올에 10% 무게 비율로 구리 나노와이어가 포함되어 있는 용액에서 25㎕를 사용하여 구리 나노와이어를 기판 상에 코팅하는 단계; 및상기 기판 상에 코팅된 구리 나노와이어에 532 nm의 파장을 갖는 레이저를 100 mW의 파워 및 100 mm/s의 스캐닝 속도로 60 초 동안 2D 갈바노 미러(galvanomirror)를 사용하여 상온 및 공기 중에서 레이저 주사하여 95 %의 투과도 및 47.2 Ω/sq의 면저항을 갖는 투명전극을 제조하는 단계;를 포함하는 구리 나노와이어를 포함하는 투명전극의 제조방법.

발명자의 다른 특허 :

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