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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2012-0144265 (2012-12-12) | |
| 공개번호 | 10-2014-0076106 (2014-06-20) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020120144265 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
| 법적상태 | 취하 |
본 발명의 실시예에 따른 트렌지스터는 활성층 및 상기 활성층에 접하는 게이트 절연막을 포함할 수 있다. 활성층 및 게이트 절연막은 동일한 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 게이트 절연막은 활성층보다 높은 산소람량비를 가지는 산화물을 포함할 수 있다. 활성층 및 게이트 절연막이 동일한 물질을 포함함에 따라, 트렌지스터 구동 시 활성층 내에서 높은 전하이동도가 나타날 수 있다. 트렌지스터의 제조공정에서 활성층 및 게이트 절연막은 동일한 스퍼터링 챔버 내에서 산소분압비만 달리한 채, 동일한 물질을 증착하여 형성할 수 있다.
기판 상의 소스/드레인 전극; 상기 기판 상에서 상기 소스/드레인 전극의 가장자리와 접하는 활성층;상기 기판 상에 제공되며, 상기 활성층에 대응하는 게이트 전극;상기 활성층 및 상기 게이트 전극 사이에 개재된 게이트 절연막; 그리고상기 게이트 전극 상에 배치되며, 상기 활성층을 덮는 패시베이션층을 포함하되, 상기 활성층은 제1 산화물을 포함하고, 상기 게이트 절연막은 제2 산화물을 포함하며, 상기 제1 산화물은 상기 제2 산화물과 동일한 물질로 구성되고, 제2 산화물보다 더 낮은 산소함량비를 가지는 트렌지스터.
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