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[한국특허] 트렌지스터 제조방법
A method of manufacturing a transistor 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/336
  • H01L-029/78
출원번호 10-2012-0144277 (2012-12-12)
공개번호 10-2014-0080589 (2014-07-01)
DOI http://doi.org/10.8080/1020120144277
발명자 / 주소
  • 오힘찬 / 서울특별시 관악구 대학마을 *동 ***호
  • 황치선 / 대전 유성구 전민로 **, ***동 ****호 (전민동, 삼성푸른아파트)
출원인 / 주소
  • 한국전자통신연구원 / 대전광역시 유성구 가정로 *** (가정동)
대리인 / 주소
  • 권혁수; 송윤호; 오세준
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명의 실시예에 따른 트렌지스터는 기판 상의 소스/드레인 전극들, 기판 상에서 상기 소스/드레인 전극들 사이에 개재된 반도체층, 상기 반도체층 상에 배치된 환원방지막, 상기 반도체층에 대응하는 영역에 배치된 게이트 전극을 포함할 수 있다. 반도체층은 제1 반도체 산화물을 포함하고, 소스/드레인 전극들은 제1 산화물 반도체 반도체층 동일한 원소 포함하되, 더 낮은 산소함량비를 가지는 제2 반도체 산화물을 포함할 수 있다. 트렌지스터는 향상된 신뢰도를 가지며, 고속 동작할 수 있다.

대표청구항

기판 상에 반도체층을 형성하는 것; 상기 반도체층 상에 환원방지막을 형성하는 것; 상기 환원방지막의 일부를 제거하여, 상기 반도체층의 일부를 노출시키는 것; 및상기 노출된 반도체층을 환원시켜 소스/드레인 전극들을 형성하는 것을 포함하는 트렌지스터 제조방법.

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