초록 ▼

경면 연마를 행한 후, 에피택셜층을 형성하기 전에, 오존 가스를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 표면을 산화시키는 오존 가스 처리, 불화 수소 증기를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 산화된 표면을 용해시켜 제거하는 불화 수소 증기 처리 및, 실리콘 웨이퍼의 표면에 잔존하는 이물을 제거하는 세정을 행함으로써, 경면 연마로 발생한 PID(Polishing Induced Defect)가 강제 산화됨과 함께 용해되어 제거되고, 그 후에 에피택셜 처리를 행함으로써, 에피택셜 웨이퍼의 표면에서 PID에 기인한 볼록 결함(bump defect)의 발생을 방지

경면 연마를 행한 후, 에피택셜층을 형성하기 전에, 오존 가스를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 표면을 산화시키는 오존 가스 처리, 불화 수소 증기를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 산화된 표면을 용해시켜 제거하는 불화 수소 증기 처리 및, 실리콘 웨이퍼의 표면에 잔존하는 이물을 제거하는 세정을 행함으로써, 경면 연마로 발생한 PID(Polishing Induced Defect)가 강제 산화됨과 함께 용해되어 제거되고, 그 후에 에피택셜 처리를 행함으로써, 에피택셜 웨이퍼의 표면에서 PID에 기인한 볼록 결함(bump defect)의 발생을 방지할 수 있다.

대표청구항 ▼

실리콘 웨이퍼에 경면 연마를 행한 후, 에피택셜층을 형성하기 전에 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정하는 방법으로서,상기 경면 연마에서 발생되어 실리콘 웨이퍼의 표면의 아모퍼스 형상의 산화물로 변질된 볼록 결함을, 오존 가스를 이용하여 산화시키는 오존 가스 처리 공정과,불화 수소 증기를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 산화된 표면의 볼록 결함을 용해시켜 제거하는 불화 수소 증기 처리 공정을 포함하고,상기 불화 수소 증기 처리 공정을 거친 후에, 실리콘 웨이퍼의 표면에 잔존하는 이물을 제거하는 세정 공정을 거치는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의

실리콘 웨이퍼에 경면 연마를 행한 후, 에피택셜층을 형성하기 전에 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정하는 방법으로서,상기 경면 연마에서 발생되어 실리콘 웨이퍼의 표면의 아모퍼스 형상의 산화물로 변질된 볼록 결함을, 오존 가스를 이용하여 산화시키는 오존 가스 처리 공정과,불화 수소 증기를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 산화된 표면의 볼록 결함을 용해시켜 제거하는 불화 수소 증기 처리 공정을 포함하고,상기 불화 수소 증기 처리 공정을 거친 후에, 실리콘 웨이퍼의 표면에 잔존하는 이물을 제거하는 세정 공정을 거치는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 세정 방법.