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연합인증

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[한국특허] 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)
  • C23C-014/34
  • C04B-035/01
  • C04B-035/64
  • H01L-029/786
출원번호 10-2012-7014740 (2012-06-07)
공개번호 10-2012-0094013 (2012-08-23)
국제출원번호 PCT/JP2010/069121 (2010-10-21)
국제공개번호 WO2011058882 (2011-05-19)
번역문제출일자 2012-06-07
DOI http://doi.org/10.8080/1020127014740
발명자 / 주소
  • 야마자키 순페이 / 일본국 ******* 가나가와켄 아쓰기시 하세 *** 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 내
  • 타카야마 토루 / 일본국 ******* 가나가와켄 아쓰기시 하세 *** 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 내
  • 사토 케이지 / 일본국 ******* 가나가와켄 아쓰기시 하세 *** 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 내
출원인 / 주소
  • 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 / 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
대리인 / 주소
  • 황의만
심사진행상태 거절결정(재심사)
법적상태 거절

초록

산화물 반도체막을 성막하는 성막 기술을 제공하는 것을 일 과제로 한다.금속 산화물의 소결체를 포함하고, 그 금속 산화물의 소결체의 함유 수소 농도가 예를 들어 1×1016atoms/cm3 미만으로 낮은 스퍼터링 타겟을 이용하여 산화물 반도체막을 형성함으로써, H2O로 대표되는 수소 원자를 포함하는 화합물 또는 수소 원자 등의 불순물의 함유량이 적은 산화물 반도체막을 성막한다.또한 이 산화물 반도체막을 트랜지스터의 활성층으로서 적용한다.

대표청구항

스퍼터링 타겟으로서,산화 마그네슘, 산화 아연, 산화 알루미늄, 산화 갈륨, 산화 인듐 또는 산화 주석에서 선택된 적어도 하나의 금속 산화물의 소결체를 포함하고,상기 소결체는 세정 후 가열 처리를 받으며,상기 소결체에 함유된 수소 농도가 1×1016atoms/cm3 미만인, 스퍼터링 타겟.

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [일본] TARGET AND ITS PRODUCTION | UMIGAMI AKIRA, HATTORI TETSUJI, TOMAI SHIGEKAZU
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  2. [일본] EL (ELECTROLUMINESCENT) DISPLAY PANEL AND EL DISPLAY DEVICE AND ITS DRIVING METHOD AND METHOD FOR INSPECTING THE SAME DEVICE AND DRIVER CIRCUIT FOR THE SAME DEVICE | TAKAHARA HIROSHI
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  3. [일본] METHOD FOR PRODUCING SPUTTERING TARGET | INOUE KAZUYOSHI, YANO KIMINORI
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이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 중고온용 세라믹 히터의 제조방법 | 조숙철, 박성진, 조재훈
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