초록

본 발명은 스퍼터법에 의하여 양호하게 Na 첨가된 Ga 첨가 농도 1~40원자%의 Cu-Ga막을 성막 가능한 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법을 제공하는 것이다. 스퍼터링 타겟의 F, S, Se를 제외하는 금속성분으로서 Ga:1~40at%, Na:0.05~2at%를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분조성을 가지며, Na가 불화나트륨, 황화나트륨, 셀렌화나트륨 중 적어도 1종의 상태로 함유되고, 산소함유량이 100~1000ppm이다.

대표청구항

스퍼터링 타겟의 F, S, Se를 제외하는 금속성분으로서, Ga:1~40at%, Na:0.05~2at%를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분조성을 가지며, Na가 불화나트륨, 황화나트륨, 셀렌화나트륨 중 적어도 1종의 상태로 함유되고,산소함유량이 100~1000ppm인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.

스퍼터링 타겟의 F, S, Se를 제외하는 금속성분으로서, Ga:1~40at%, Na:0.05~2at%를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피 불순물로 이루어지는 성분조성을 가지며, Na가 불화나트륨, 황화나트륨, 셀렌화나트륨 중 적어도 1종의 상태로 함유되고,산소함유량이 100~1000ppm인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.