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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-7014740 (2012-06-07) |
공개번호 | 10-2012-0094013 (2012-08-23) |
국제출원번호 | PCT/JP2010/069121 (2010-10-21) |
국제공개번호 | WO2011058882 (2011-05-19) |
번역문제출일자 | 2012-06-07 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020127014740 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(재심사) |
법적상태 | 거절 |
산화물 반도체막을 성막하는 성막 기술을 제공하는 것을 일 과제로 한다.금속 산화물의 소결체를 포함하고, 그 금속 산화물의 소결체의 함유 수소 농도가 예를 들어 1×1016atoms/cm3 미만으로 낮은 스퍼터링 타겟을 이용하여 산화물 반도체막을 형성함으로써, H2O로 대표되는 수소 원자를 포함하는 화합물 또는 수소 원자 등의 불순물의 함유량이 적은 산화물 반도체막을 성막한다.또한 이 산화물 반도체막을 트랜지스터의 활성층으로서 적용한다.
스퍼터링 타겟으로서,산화 마그네슘, 산화 아연, 산화 알루미늄, 산화 갈륨, 산화 인듐 또는 산화 주석에서 선택된 적어도 하나의 금속 산화물의 소결체를 포함하고,상기 소결체는 세정 후 가열 처리를 받으며,상기 소결체에 함유된 수소 농도가 1×1016atoms/cm3 미만인, 스퍼터링 타겟.
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