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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2012-7022027 (2012-08-23) | |
공개번호 | 10-2013-0035993 (2013-04-09) | |
우선권정보 | 미국(US) 61/308,665 (2010-02-26);일본(JP) JP-P-2010-043281 (2010-02-26);일본(JP) JP-P-2010-143185 (2010-06-23);일본(JP) JP-P-2011-029622 (2011-02-15) | |
국제출원번호 | PCT/JP2011/054840 (2011-02-24) | |
국제공개번호 | WO 2011/105626 (2011-09-01) | |
번역문제출일자 | 2012-08-23 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020127022027 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(재심사) | |
법적상태 | 거절 |
감도, 한계 해상력, 러프니스 특성, 노광 래티튜드(EL), 노광 후 베이킹(PEB) 온도 의존성 및 포커스 래티튜드(초점심도 DOF)가 우수한 패턴형성방법 및 이 방법에 사용되는 레지스트 조성물을 제공하는 것이다. 이 방법은 (A) 산의 작용시 분해되어 알콜성 히드록실기를 생성하는 기를 포함하는 반복단위를 포함하고, 또한 산의 작용시 유기용제를 포함하는 현상액에서의 용해도가 감소하는 수지를 포함하는 레지스트 조성물로 막을 형성하는 공정, (B) 상기 막을 광에 노광하는 공정, 및 (C) 유기용제를 포함하는 현상액을 사용해서 상기
(A) 산의 작용시 분해되어 알콜성 히드록실기를 생성하는 기를 포함하는 반복단위를 포함하고, 또한 산의 작용시 유기용제를 포함하는 현상액에서의 용해도가 감소하는 수지를 포함하는 레지스트 조성물로 막을 형성하는 공정;(B) 상기 막을 광에 노광하는 공정; 및(C) 유기용제를 포함하는 현상액을 사용해서 상기 노광된 막을 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
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