최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
출원번호 | 10-1998-0706952 (1998-09-04) |
공개번호 | 10-1999-0087519 (1999-12-27) |
등록번호 | 10-0454011-0000 (2004-10-13) |
국제출원번호 | PCT/US1997/003075 (1997-02-27) |
국제공개번호 | WO1997033206 (1997-09-12) |
번역문제출일자 | 1998-09-04 |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019980706952 |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
심사청구여부 | 있음 (2002-01-11) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 디아조나프토퀴논 설포네이트 에스테르-노볼락 양각 포토레지스트를 순간 노출 후 소성(순간 PEB) 공정으로 처리하는 것에 관한 것이다. 이 방법은 종래의 노출 후 소성(PEB) 공정에 비해 보다 높은 온도(≥130℃)와 매우 짧은 소성 시간(≤30초)을 레지스트, 바람직하게는 하부 항반사성 코팅 위에 처리한다. 이러한 처리에 의해 레지스트의 해상도, 공정 허용 범위, 열적 변형 온도, 레지스트 접착력 및 플라스마 에칭 내성이 크게 향상된다.
기판에 포토레지스트를 코팅하고, 포토레지스트를 화학선에 노출시킨 뒤 포토레지스트 피막을 소성시키며, 피막 처리된 기판을 처리하여 상기 기판에 상을 현상시키는 단계를 포함하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법으로서, 상기 소성 단계는 기판을 130℃ 이상의 온도로 가열된 표면과 접촉시키거나 또는 그 표면에 밀접하게 접근시켜 30초 이하의 시간 동안 처리하는 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 가열된 표면의 온도가 130~160℃인 것을 특징으로하는 기판에 양각 상을 제조하는 방법.제1항에 있어서, 가열된
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.