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[한국특허] 반도체 디바이스 관통 전극용 유리 기판
GLASS SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE VIA 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC9판)
  • H01L-023/15
출원번호 10-2012-7026584 (2012-10-11)
공개번호 10-2013-0059325 (2013-06-05)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2010-097225 (2010-04-20)
국제출원번호 PCT/JP2011/059317 (2011-04-14)
국제공개번호 WO 2011/132600 (2011-10-27)
번역문제출일자 2012-10-11
DOI http://doi.org/10.8080/1020127026584
발명자 / 주소
  • 고이케 아키오 / 일본 도쿄도 지요다쿠 유라쿠쵸 *쵸메 **방 *고 아사히 가라스 가부시키가이샤 나이
  • 오노 모토시 / 일본 도쿄도 지요다쿠 유라쿠쵸 *쵸메 **방 *고 아사히 가라스 가부시키가이샤 나이
  • 무라카미 료타 / 일본 도쿄도 지요다쿠 유라쿠쵸 *쵸메 **방 *고 아사히 가라스 가부시키가이샤 나이
  • 기쿠가와 신야 / 일본 도쿄도 지요다쿠 유라쿠쵸 *쵸메 **방 *고 아사히 가라스 가부시키가이샤 나이
출원인 / 주소
  • 아사히 가라스 가부시키가이샤 / 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고
대리인 / 주소
  • 특허법인코리아나
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

종래의 반도체 디바이스 관통 전극용 유리 기판에 비해 보다 양호한 강도를 갖는 유리 기판을 제공한다. 본 발명은, 제 1 표면과 제 2 표면을 갖고, 상기 제 1 표면으로부터 상기 제 2 표면까지 연장되는 관통공을 갖는 반도체 디바이스 관통 전극용 유리 기판으로서, 상기 제 1 및 제 2 표면 중 적어도 일방은 화학 강화되어 있는 것을 특징으로 하는 유리 기판에 관한 것이다.

대표청구항

제 1 표면과 제 2 표면을 갖고, 상기 제 1 표면으로부터 상기 제 2 표면까지 연장되는 관통공을 갖는 반도체 디바이스 관통 전극용 유리 기판으로서,상기 제 1 및 제 2 표면 중 적어도 일방은 화학 강화되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 관통 전극용 유리 기판.

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