초록 ▼

본 발명은 산화물 반도체 나노섬이 부착된 산화물 반도체 나노와이어를 포함하는 가스 감지 센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 산화물 반도체 나노와이어, 및 상기 나노와이어 표면에 불연속적으로 부착된 산화물 반도체 나노섬(nano islands)을 가스 감지 물질로서 포함하여 극미량의 산화성 가스 또는 환원성 가스를 감지하는 가스 감지 센서를 제공한다. 본 발명에 따른 가스 감지 센서는 표면에 비연속적인 나노섬(nano island)이 형성된 나노와이어를 가스 감지 물질로서 포함하며, 이를 통해 나노선 코어의 전도채널(c

본 발명은 산화물 반도체 나노섬이 부착된 산화물 반도체 나노와이어를 포함하는 가스 감지 센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 산화물 반도체 나노와이어, 및 상기 나노와이어 표면에 불연속적으로 부착된 산화물 반도체 나노섬(nano islands)을 가스 감지 물질로서 포함하여 극미량의 산화성 가스 또는 환원성 가스를 감지하는 가스 감지 센서를 제공한다. 본 발명에 따른 가스 감지 센서는 표면에 비연속적인 나노섬(nano island)이 형성된 나노와이어를 가스 감지 물질로서 포함하며, 이를 통해 나노선 코어의 전도채널(conducting channel)의 모듈레이션을 극대화시킬 수 있어 극미량의 가스를 감지해낼 수 있다. 또한, p-n 접합에 의한 전도캐리어(conducting carrier)의 이동을 이용한 조합, 또는 일함수 차이에 따른 전도캐리어의 이동을 이용한 조합을 통해 극미량의 산화성 가스 또는 환원성 가스를 감지해낼 수 있다.

대표청구항 ▼

산화물 반도체 나노와이어, 및 상기 나노와이어 표면에 불연속적으로 부착된 산화물 반도체 나노섬(nano islands)을 가스 감지 물질로서 포함하는 가스 감지 센서에 있어서, 상기 나노와이어 및 나노섬은1) p형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬; 또는2) n형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬이되, 상기 나노섬의 n형 산화물 반도체와 나노와이어의 n형 산화물 반도체의 일함수가 상이;하고,상기 나노와이어 및 나노섬이 p형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬인 경우, 산

산화물 반도체 나노와이어, 및 상기 나노와이어 표면에 불연속적으로 부착된 산화물 반도체 나노섬(nano islands)을 가스 감지 물질로서 포함하는 가스 감지 센서에 있어서, 상기 나노와이어 및 나노섬은1) p형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬; 또는2) n형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬이되, 상기 나노섬의 n형 산화물 반도체와 나노와이어의 n형 산화물 반도체의 일함수가 상이;하고,상기 나노와이어 및 나노섬이 p형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬인 경우, 산화성 가스를 감지하며,상기 나노와이어 및 나노섬이 n형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬이며, 상기 나노섬의 n형 산화물 반도체는 나노와이어의 n형 산화물 반도체보다 일함수가 큰 경우 환원성 가스를 감지하고,상기 나노와이어 및 나노섬이 n형 산화물 반도체 나노와이어 및 n형 산화물 반도체 나노섬이며, 상기 나노섬의 n형 산화물 반도체는 나노와이어의 n형 산화물 반도체보다 일함수가 작은 경우 산화성 가스를 감지하는 것을 특징으로 하는 가스 감지 센서.