IPC분류정보
국가/구분 |
한국(KR)/등록특허
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 |
10-2013-0026162
(2013-03-12)
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공개번호 |
10-2014-0099159
(2014-08-11)
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등록번호 |
10-1469589-0000
(2014-12-01)
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우선권정보 |
대만(TW) 102104103 (2013-02-01) |
DOI |
http://doi.org/10.8080/1020130026162
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발명자
/ 주소 |
- 호 렁-후아
/ 대만 신주 씨티 이스트 디스트릭트 다슈 로드 넘버 ** **에프.-*
- 우 페이-제인
/ 대만 신주 카운티 키옹린 타운쉽 산민 로드 넘버 **
- 쿠오 치-밍
/ 대만 신주 카운티 신펭 타운쉽 강헤 로드 레인 *** 넘버 **
- 장 시-치에
/ 대만 자이 카운티 민시옹 타운쉽 푸취안 넘버 *-**
- 투 치아-정
/ 대만 신주 카운티 주동 타운쉽 슈푸 이. 로드 레인 *** 앨리 ** 넘버 **
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출원인 / 주소 |
- 칩본드 테크놀러지 코포레이션 / 대만 신추 신추 싸이언스 파크 리신 * 로드 넘버 *
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 |
있음 (2013-03-12) |
심사진행상태 |
등록결정(재심사후) |
법적상태 |
등록 |
초록
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반도체 패키징 공정으로서, 제1 기판을 제공하는 단계, 제2 기판을 제공하는 단계, 가열하는 단계, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 압접하는 단계를 포함하고, 제1 기판을 제공하는 단계에서, 상기 제1 기판은 제1 표면 및 적어도 하나의 제1 금속 범프를 구비하고, 상기 제1 금속 범프는 맞댐부를 구비하고, 상기 맞댐부는 제1 연화점을 가지며, 제2 기판을 제공하는 단계에서, 상기 제2 기판은 적어도 하나의 제2 금속 범프를 구비하고, 상기 제2 금속 범프는 제2 연화점을 갖고, 상기 제1 금속 범프의 상기 제1 연화점은 상
반도체 패키징 공정으로서, 제1 기판을 제공하는 단계, 제2 기판을 제공하는 단계, 가열하는 단계, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 압접하는 단계를 포함하고, 제1 기판을 제공하는 단계에서, 상기 제1 기판은 제1 표면 및 적어도 하나의 제1 금속 범프를 구비하고, 상기 제1 금속 범프는 맞댐부를 구비하고, 상기 맞댐부는 제1 연화점을 가지며, 제2 기판을 제공하는 단계에서, 상기 제2 기판은 적어도 하나의 제2 금속 범프를 구비하고, 상기 제2 금속 범프는 제2 연화점을 갖고, 상기 제1 금속 범프의 상기 제1 연화점은 상기 제2 금속 범프의 상기 제2 연화점보다 낮으며, 상기 제2 금속 범프는 상면 및 측벽을 구비하며, 가열하는 단계에서, 상기 제1 금속 범프의 상기 맞댐부를 연화 상태로 되게 가열하고, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 압접하는 단계에서, 상기 제2 금속 범프를 연화 상태로 된 상기 제1 금속 범프의 연화 상태의 상기 맞댐부에 삽입함으로써, 연화 상태의 상기 맞댐부가 압력을 받아 연신되어 상기 제2 금속 범프의 상기 상면 및 상기 측벽을 피복하게 한다.
대표청구항
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제1 기판을 제공하는 단계, 제2 기판을 제공하는 단계, 가열하는 단계, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 압접하는 단계를 포함하는 반도체 패키징 공정으로서,상기 제1 기판을 제공하는 단계에서, 상기 제1 기판은 제1 표면 및 적어도 하나의 제1 금속 범프를 구비하고, 상기 제1 금속 범프는 상기 제1 표면 상에 형성되고, 상기 제1 금속 범프는 바닥부 및 맞댐부를 구비하고, 상기 바닥부는 상기 맞댐부와 상기 제1 기판 사이에 위치하고, 상기 맞댐부는 제1 연화점(first softening point)을 가지며;상기 제2 기
제1 기판을 제공하는 단계, 제2 기판을 제공하는 단계, 가열하는 단계, 및 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 압접하는 단계를 포함하는 반도체 패키징 공정으로서,상기 제1 기판을 제공하는 단계에서, 상기 제1 기판은 제1 표면 및 적어도 하나의 제1 금속 범프를 구비하고, 상기 제1 금속 범프는 상기 제1 표면 상에 형성되고, 상기 제1 금속 범프는 바닥부 및 맞댐부를 구비하고, 상기 바닥부는 상기 맞댐부와 상기 제1 기판 사이에 위치하고, 상기 맞댐부는 제1 연화점(first softening point)을 가지며;상기 제2 기판을 제공하는 단계에서, 상기 제2 기판은 제2 표면 및 적어도 하나의 제2 금속 범프를 구비하고, 상기 제2 금속 범프는 상기 제2 표면 상에 형성되고, 상기 제2 금속 범프는 제2 연화점(second softening point)을 가지고, 상기 제1 금속 범프의 상기 제1 연화점은 상기 제2 금속 범프의 상기 제2 연화점보다 낮으며, 상기 제2 금속 범프는 상면(上面) 및 측벽(側壁)을 구비하며;상기 가열하는 단계에서, 상기 제1 금속 범프의 상기 맞댐부를 연화 상태로 되게 가열하고;상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 압접(壓接)하는 단계에서, 상기 제1 표면이 상기 제2 표면을 향하게 하여 상기 제2 금속 범프를 연화 상태로 된 상기 제1 금속 범프의 연화 상태로 상기 맞댐부에 삽입함으로써, 연화 상태의 상기 맞댐부가 압력을 받아 연신되어 상기 제2 금속 범프의 상기 상면 및 상기 측벽을 피복하게 하고, 연화 상태의 상기 제1 금속 범프의 연화 상태의 상기 바닥부는 상기 제2 금속 범프와 상기 제1 기판 사이에 위치하게 되고,상기 제1 기판은 접합층을 더 구비하고, 상기 접합층은 연화 상태의 상기 제1 금속 범프의 연화 상태의 상기 바닥부와 상기 제1 기판 사이에 위치하고,상기 접합층의 크기는 상기 제1 금속 범프의 크기와 동일하고, 상기 접합층의 패키징 재질은 상기 제1 금속 범프의 패키징 재질과 상이한,반도체 패키징 공정.
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