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양극 산화에 의한 항공재료 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C25D-011/02
  • C25D-003/02
  • C25D-021/12
출원번호 10-2013-0048735 (2013-04-30)
등록번호 10-1432671-0000 (2014-08-14)
DOI http://doi.org/10.8080/1020130048735
발명자 / 주소
  • 장관섭 / 서울특별시 강서구 등촌로 ***, ***동 ***호 (등촌동, 등촌동아이파크)
  • 장도섭 / 서울특별시 강서구 등촌로 ***, ***동 ***호 (등촌동, 등촌동 아이파크)
출원인 / 주소
  • 주식회사 영광와이케이엠씨 / 충남 아산시 둔포면 아산밸리 중앙로 ***
대리인 / 주소
  • 특허법인 이노
심사청구여부 있음 (2013-04-30)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 양극 산화에 의한 항공재료 제조방법에 관한 것으로, 전해액이 담긴 양극 산화 장치의 전극에 티타늄 항공재료를 설치하는 단계; 및 상기 티타늄 항공재료에 전압을 인가하여 티타늄 항공재료의 표면에 이산화 티타늄 피막을 형성하는 단계를 포함하는 양극 산화에 의한 항공재료 제조방법을 제공한다.

대표청구항

전해액이 담긴 양극 산화 장치의 전극에 티타늄 항공재료를 설치하는 단계; 및상기 티타늄 항공재료에 전압을 인가하여 티타늄 항공재료의 표면에 이산화 티타늄 피막을 형성하는 단계를 포함하고,양극 산화는 직류 정류기를 사용하여 총 50 내지 80분 동안 수행하되, 0 내지 50 V까지는 2±1분에 10±2 V씩 승압하고, 51 내지 90 V까지는 2±1분에 5±2 V씩 승압하며, 91 내지 130 V까지는 1600 내지 2000초 동안 수행함으로써, 두께 5 내지 10 ㎛의 피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 양극 산화에 의한 항공재료

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [일본] PRODUCTION OF ANITBACTERIAL TOOL | ISHIZAWA HITOSHI, TANAKA AKIRA
  2. [한국] 마그네슘 및 마그네슘 합금의 양극산화 방법 및양극산화된 표면에 전도층을 생성시키는 방법 | 오스트로프스키,일리야

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 기계 및 항공기부품용 티타늄의 양극산화 전해액 및 이의 제조방법 | 장관섭, 장기범, 한상훈, 복경순, 김훈식, 한아영
  2. [한국] 타이타늄모재의 균일한 양극산화피막 형성을 위한 전해액 및 이를 이용한 타이타늄모재의 제조방법 | 장관섭, 정나겸, 김훈식, 장기범
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