초록 ▼

본 개시는 개선된 스텝 커버리지를 제공하는 플라즈마 향상된 원자층 증착(PEALD) 공정을 수행하는 방법 및 장치에 관한 것이다.일부 실시예들에서, 본 개시는 플라즈마 향상된 원자층 증착(PEALD) 공정에 관한 것이다.PEALD 공정은 반도체 가공물을 포함하는 프로세싱 챔버 안으로 전구체 가스를 도입한다.이러한 제 1 가스는 이온화되어 복수의 이온화된 전구체 분자를 형성한다.그 뒤에, 바이어스 전압이 가공물에 인가된다.바이어스 전압은 가공물에 이온화된 전구체 분자를 끌어들여, 가공물의 이방성 커버리지에 전구체 가스를 제공하도록 한

본 개시는 개선된 스텝 커버리지를 제공하는 플라즈마 향상된 원자층 증착(PEALD) 공정을 수행하는 방법 및 장치에 관한 것이다.일부 실시예들에서, 본 개시는 플라즈마 향상된 원자층 증착(PEALD) 공정에 관한 것이다.PEALD 공정은 반도체 가공물을 포함하는 프로세싱 챔버 안으로 전구체 가스를 도입한다.이러한 제 1 가스는 이온화되어 복수의 이온화된 전구체 분자를 형성한다.그 뒤에, 바이어스 전압이 가공물에 인가된다.바이어스 전압은 가공물에 이온화된 전구체 분자를 끌어들여, 가공물의 이방성 커버리지에 전구체 가스를 제공하도록 한다.반응 가스가 프로세싱 챔버 안으로 도입된다.그 뒤에, 플라즈마가 반응 가스로부터 점화되어, 반응 가스가 기판 상에 증착되었던 이온화된 전구체 분자와 반응하도록 하여 가공물 상에 증착된 층을 형성한다.

대표청구항 ▼

플라즈마 향상된 원자층 증착(plasma enhanced atomic layer deposition; PEALD) 시스템에 있어서,반도체 가공물을 수용하도록 구성된 프로세싱 챔버 안으로 전구체 가스를 제공하도록 구성된 전구체 가스 주입구;상기 프로세싱 챔버 안으로 반응 가스를 제공하도록 구성된 반응 가스 주입구;상기 전구체 가스를 이온화하여 복수의 이온화된 전구체 분자를 형성하고 그 뒤에 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 점화하도록 구성된 이온화 컴포넌트로서, 상기 플라즈마는 상기 이온화된 전구체 분자와 상기 반응 가스 간의 반응을

플라즈마 향상된 원자층 증착(plasma enhanced atomic layer deposition; PEALD) 시스템에 있어서,반도체 가공물을 수용하도록 구성된 프로세싱 챔버 안으로 전구체 가스를 제공하도록 구성된 전구체 가스 주입구;상기 프로세싱 챔버 안으로 반응 가스를 제공하도록 구성된 반응 가스 주입구;상기 전구체 가스를 이온화하여 복수의 이온화된 전구체 분자를 형성하고 그 뒤에 상기 반응 가스로부터 플라즈마를 점화하도록 구성된 이온화 컴포넌트로서, 상기 플라즈마는 상기 이온화된 전구체 분자와 상기 반응 가스 간의 반응을 일으켜 증착된 층을 형성하는 것인 이온화 컴포넌트;상기 반도체 가공물에 상기 이온화된 전구체 분자를 이방성으로 끌어들이는 바이어스 전압을 상기 반도체 가공물에 인가하도록 구성된 바이어스 요소; 및제어 유닛으로서,상기 이온화 컴포넌트에 제 1 제어 신호 - 상기 제 1 제어 신호는 상기 이온화 컴포넌트로 하여금 제 1 동작 기간 동안에 상기 전구체 가스를 선택적으로 이온화하도록 함 - 를 보내고,상기 바이어스 요소에 제 2 제어 신호 - 상기 제 2 제어 신호는 상기 바이어스 요소로 하여금 상기 제 1 동작 기간 동안에 상기 반도체 가공물에 상기 바이어스 전압을 인가하도록 함 - 를 보내며,상기 이온화 컴포넌트에 제 3 제어 신호 - 상기 제 3 제어 신호는 상기 이온화 컴포넌트로 하여금 상기 제 1 동작 기간이 끝난 후에 상기 플라즈마를 점화하도록 함 - 를 보내도록 구성되는 것인, 상기 제어 유닛을 포함하는 것인 PEALD 시스템.