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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0762547 (2013-02-08) |
공개번호 | US-0227861 (2014-08-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
The present disclosure relates to a method and apparatus for performing a plasma enhanced ALD (PEALD) process that provides for improved step coverage. The process introduces a precursor gas into a processing chamber comprising a semiconductor workpiece. The first gas is ionized to from a plurality
1. A plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) system, comprising: a precursor gas inlet configured to provide a precursor gas into a processing chamber configured to house a semiconductor workpiece;a reactant gas inlet configured to provide a reactant gas into the processing chamber;an ionizi
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