최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2013-0073069 (2013-06-25) | |
공개번호 | 10-2015-0000669 (2015-01-05) | |
등록번호 | 10-1494527-0000 (2015-02-11) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130073069 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2013-06-25) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 폴리실리콘 멜트가 수용된 도가니에 단결정 시드를 담그고, 상기 도가니를 8 rpm 내지 10 rpm으로 회전시켜 단결정 실리콘을 잉곳으로 성장시키는 결정 성장 방법에 있어서, 상기 도가니의 내벽과 상기 멜트 사이에서 용출되는 산소 농도를 저감시켜 상기 단결정 실리콘으로 유입되는 산소 농도를 조절할 수 있다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 잉곳에 유입되는 산소 농도가 저감됨으로써 고품질 단결정 성장이 가능하고, 특히 도가니 내벽의 버블 팽창을 방지할 수 있다.
폴리실리콘 멜트가 수용된 도가니에 단결정 시드를 담그고, 상기 도가니를 8 rpm 내지 10 rpm으로 회전시켜 단결정 실리콘을 잉곳으로 성장시키는 결정 성장 방법에 있어서,상기 도가니의 내벽과 상기 멜트 사이에서 용출되는 산소 농도를 저감시켜 상기 단결정 실리콘으로 유입되는 산소 농도를 조절하고,상기 산소 농도는, 상기 도가니 회전속도(C/R)를 20% 내지 30% 감축시켜, 상기 도가니 내벽과 상기 멜트 사이의 마찰력을 최소화하는 것에 의하여 저감되며,상기 감축된 도가니 회전속도(C/R)는 5 rpm 내지 6 rpm으로 저감되는
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.