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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2013-0083919 (2013-07-17) | |
| 공개번호 | 10-2014-0079267 (2014-06-26) | |
| 등록번호 | 10-2365046-0000 (2022-02-15) | |
| 우선권정보 | 대한민국(KR) 1020120148554 (2012-12-18) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020130083919 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2018-06-08) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명은 식각 조성물, 식각 방법 및 반도체 소자에 관한 것으로서, 상기 식각 조성물은 인산, 그리고 하기 화학식 1로 표시되는 규소 화합물을 포함한다.[화학식 1]상기 화학식 1에서 상기 R1 내지 R3의 정의는 발명의 상세한 설명에서와 같다.상기 식각 조성물은 실리콘 질화막과 실리콘 산화막이 혼재 또는 교대로 적층되어 있는 경우, 고온으로 가열된 인산이 상기 실리콘 산화막을 식각하지 못하도록 하면서, 상기 실리콘 질화막을 선택적으로 식각할 수 있으며, 고온으로 가열된 인산으로 식각하는 공정보다 높은 실리콘 질화막과 실리콘 산화
인산,하기 화학식 1로 표시되는 규소 화합물 및 용매를 포함하는 식각 조성물로서, 상기 식각 조성물은 식각 조성물 전체에 대하여 상기 인산을 7 내지 85 중량% 포함하고, 상기 규소 화합물을 0.75 중량% 이상 포함하며, 157℃로 가열된 식각 조성물에 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막이 형성된 기판을 20분간 침지하여 엘립소미트리 장비로 측정한 하기 수학식 1의 식각 선택도가 251.36 이상인 것을 특징으로 하는 식각 조성물.[화학식 1](상기 화학식 1에서, 상기 R1은 탄소수 1 내지 20의 아미노 알킬기, 탄소수 1 내지
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