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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2013-0126536 (2013-10-23) | |
공개번호 | 10-2015-0047661 (2015-05-06) | |
등록번호 | 10-1562435-0000 (2015-10-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020130126536 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2013-10-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
양극산화 플레이트를 이용하여 제조되는 3차원 구조의 광흡수층을 포함하는 태양전지 제조방법이 개시된다. 하부구조의 후면전극층 상에 알루미늄을 적층한 후 양극산화를 통해 다수개의 나노홀 또는 다수개의 나노기둥을 가지는 템플릿을 형성한다. 템플릿의 다수개의 나노홀 또는 다수개의 나노기둥에 CZTS 전구체물질을 충전시킨 후 템플릿을 제거하여 전구체박막을 형성한다. 전구체박막을 황화 또는 셀렌화 분위기에서 열처리하여 3차원 구조의 광흡수층을 형성한다. 나아가, 열처리를 수행하기 전에 양극산화 중에 후면전극층 상에 형성된 산화물을 제거한 후
(a) 투명 기판과 상기 투명 기판 상에 형성된 후면전극층으로서 Mo를 포함하는 하부구조 상에 Al층 또는 Al을 포함하는 금속층을 형성하는 단계;(b) 상기 Al층 또는 Al을 포함하는 금속층을 양극산화하여 다수개의 홀 또는 다수개의 기둥을 가지며, 저면에 상기 후면전극층을 노출하는 템플릿을 형성하는 단계;(c) 광흡수층을 위한 전구체물질을 상기 템플릿에 충진하여 상기 다수개의 홀 내부에 충진되거나 상기 다수개의 기둥을 둘러싸는 광흡수층을 위한 전구체막을 형성하는 단계;(d) 상기 템플릿을 제거하는 단계;(e) 상기 광흡수층을 위
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