초록

본 발명은 식각 조성물, 이를 이용한 패턴화된 절연막의 제조 방법, 패턴화된 절연막 및 이를 포함하는 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 조성물은 평면의 식각면을 형성할 수 있다.그 결과 상기 식각 조성물로 식각된 절연막은 후속 공정에 도입될 수 있는 금속막 등을 우수한 품질로 형성하게 할 수 있다.또한, 상기 식각 조성물은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 동시에 식각할 수 있어 효율적으로 패턴화된 절연막을 제공할 수 있다.

대표청구항 ▼

실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 적층막을 식각하는 식각 조성물에 있어서,상기 적층막에 하기 수식 1의 값이 5°이하인 패턴을 형성하기 위하여 불화수소 0.5 내지 5.5 중량부, 불화암모늄 5 내지 40 중량부, 유기산으로 이미노디아세트산 0.1 내지 4.5 중량부 및 용매로서 물 50 내지 95 중량부로 이루어지는 식각 조성물:[수식 1]│X - Y│상기 수식 1에서, X는 대상막의 하부 식각면의 접선과 대상막이 형성된 기판의 면이 이루는 각이며, Y는 대상막의 상부 식각면의 접선과 대상막이 형성된 기판의 면이 이루는 각이고,상

실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 적층막을 식각하는 식각 조성물에 있어서,상기 적층막에 하기 수식 1의 값이 5°이하인 패턴을 형성하기 위하여 불화수소 0.5 내지 5.5 중량부, 불화암모늄 5 내지 40 중량부, 유기산으로 이미노디아세트산 0.1 내지 4.5 중량부 및 용매로서 물 50 내지 95 중량부로 이루어지는 식각 조성물:[수식 1]│X - Y│상기 수식 1에서, X는 대상막의 하부 식각면의 접선과 대상막이 형성된 기판의 면이 이루는 각이며, Y는 대상막의 상부 식각면의 접선과 대상막이 형성된 기판의 면이 이루는 각이고,상기 대상막은 기판의 평평한 면에 형성된 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막의 적층막으로, 상기 식각 조성물에 의하여 식각된 것이며,대상막의 하부 식각면은 대상막의 식각된 면과 기판이 만나는 모서리부터 대상막의 두께를 이등분하는 면과 대상막의 식각된 면이 만나는 제1 가상의 선분까지의 면이고, 대상막의 상부 식각면은 대상막의 식각면 중 상기 대상막의 하부 식각면을 제외한 면이며, 상기 하부 및 상부 식각면의 접선은 상기 대상막의 두께를 이등분하는 면과 대상막의 식각된 면이 만나는 제1 가상의 선분과 직각을 이루는 선이며,상기 하부 및 상부 식각면의 접선이 다수인 경우,X는 대상막의 하부 식각면의 접선과 대상막이 형성된 기판의 면이 이루는 가장 작은 각이고, Y는 대상막의 상부 식각면의 접선과 대상막이 형성된 기판의 면이 이루는 가장 작은 각이거나, 또는X는 대상막의 하부 식각면의 접선과 대상막이 형성된 기판의 면이 이루는 가장 큰 각이고, Y는 대상막의 상부 식각면의 접선과 대상막이 형성된 기판의 면이 이루는 가장 큰 각이다.