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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2013-7020332 (2013-07-31) | |
공개번호 | 10-2013-0094352 (2013-08-23) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2011-185591 (2011-08-29);일본(JP) JP-P-2011-255066 (2011-11-22) | |
국제출원번호 | PCT/JP2012/067280 (2012-07-06) | |
국제공개번호 | WO 2013/031381 (2013-03-07) | |
번역문제출일자 | 2013-07-31 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020137020332 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2013-07-31) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
Ga 가 29 ∼ 42.6 at%, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지는 용해·주조한 Cu-Ga 합금 스퍼터링 타깃으로서, 스퍼터 표면의 평균 결정 입경이 3 ㎜ 이하이고, 타깃의 단면 조직이 스퍼터 표면으로부터 스퍼터면에 평행한 중심면의 방향으로 성장한 기둥상 조직을 갖는 것을 특징으로 하는 Cu-Ga 합금 스퍼터링 타깃. Cu-Ga 합금은 Ga 조성이 29 at% 이상이 되면, 취성이 있는 γ 상 단상 조직이 된다. 그 때문에 주조로 타깃을 제작해도, 그 후에 압연, 단조 등의 공정을 실시할 수 없어, 주조 조직인 채가
Ga 가 29 ∼ 42.6 at%, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지는 용해·주조한 Cu-Ga 합금 스퍼터링 타깃으로서, 스퍼터 표면의 평균 결정 입경이 3 ㎜ 이하이고, 타깃의 단면 조직이 스퍼터 표면으로부터 스퍼터면에 평행한 중심면의 방향으로 성장한 기둥상 조직을 갖는 것을 특징으로 하는 Cu-Ga 합금 스퍼터링 타깃.
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