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Cu-Ga 합금 스퍼터링 타깃 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C23C-014/34
  • C22C-009/00
출원번호 10-2016-0030259 (2016-03-14)
공개번호 10-2016-0115724 (2016-10-06)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2015-065008 (2015-03-26)
DOI http://doi.org/10.8080/1020160030259
발명자 / 주소
  • 에토 마사토시 / 일본 이바라키켕 히타치시 시로가네쵸 *-*-* 제이엑스 킨조쿠 가부시키가이샤 기쥬츠가이하츠센타 나이
출원인 / 주소
  • 제이엑스금속주식회사 / 일본 도쿄도 지요다쿠 오테마치 *쵸메 *방 *고
대리인 / 주소
  • 특허법인코리아나
심사청구여부 있음 (2016-03-14)
심사진행상태 거절결정(재심사)
법적상태 거절

초록

[요약] 고강도의 Cu-Ga 합금의 스퍼터링 타깃을 제공한다. [해결 수단] Ga 함유량이 25.0 원자％ 이상 29.5 원자％ 이하를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지고, ζ 상의 (112) 면의 배향률이 25 ％ ∼ 60 ％ 인 주상정의 Cu-Ga 합금의 스퍼터링 타깃.

대표청구항 ▼

Ga 함유량이 25.0 원자％ 이상 29.5 원자％ 이하를 함유하고, 잔부가 Cu 및 불가피적 불순물로 이루어지는 주상정의 Cu-Ga 합금의 스퍼터링 타깃으로서,X 선 회절에 있어서의 ζ 상의 (100) 면, (002) 면, (101) 면, (102) 면, (110) 면, (200) 면, (112) 면, (201) 면 및 (004) 면의 각 피크의 측정 강도를 JCPDS 카드 번호 44-1117 에 기재된 상기 각 피크에 대응하는 결정면의 표준 강도로 각각 나눈 값의 합계를 (A) 로 하고, 또한,X 선 회절에 의한 ζ 상의 (11

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] Cu-Ga 합금 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | 다무라 도모야
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