초록

반도체 기판들로부터 식각 후 처리(PET) 중합체막들과 포토레지스트를 제거하는데 효과적인 조성물이 제공된다. 이 조성물은 구리 및 낮은 유전 상수 κ를 가지는 유전체들과의 양립성을 유지하면서, 우수한 중합체 제거 능력을 나타내고, 물, 에틸렌 글리콜, 글리콜 에테르 용매, 모르포리노프로필아민, 및 부식 억제 화합물과, 선택적으로 하나 이상의 금속 이온 킬레이트제, 하나 이상의 다른 극성 유기 용매, 하나 이상의 3차 아민, 하나 이상의 알루미늄 부식 억제제, 및 하나 이상의 계면활성제를 함유한다.

대표청구항 ▼

마이크로 전자 장치로부터 식각 후 처리(PET) 중합체막을 제거하기 위한 제거 조성물로서,(a) 5중량% 내지 40중량%의 물;(b) 2중량% 내지 20중량%의 에틸렌 글리콜;(c) 30중량% 내지 70중량%의 하나 이상의 글리콜 에테르 용매;(d) 0.5중량% 내지 20중량%의 모르포리노프로필아민,(e) 메틸벤조트리아졸 및 톨리트리아졸로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는0.1중량% 내지 0.5중량%의 부식 억제제 화합물; 및 선택적으로 하나 이상의 하기 성분들:(f) 상기 조성물에 존재할 때, 0.01중량% 내지 1중량%의 양을 가

마이크로 전자 장치로부터 식각 후 처리(PET) 중합체막을 제거하기 위한 제거 조성물로서,(a) 5중량% 내지 40중량%의 물;(b) 2중량% 내지 20중량%의 에틸렌 글리콜;(c) 30중량% 내지 70중량%의 하나 이상의 글리콜 에테르 용매;(d) 0.5중량% 내지 20중량%의 모르포리노프로필아민,(e) 메틸벤조트리아졸 및 톨리트리아졸로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는0.1중량% 내지 0.5중량%의 부식 억제제 화합물; 및 선택적으로 하나 이상의 하기 성분들:(f) 상기 조성물에 존재할 때, 0.01중량% 내지 1중량%의 양을 가지는 하나 이상의 금속 이온 킬레이트제;(g) 상기 조성물에 존재할 때, 0.5중량% 내지 40중량%의 양을 가지는 하나 이상의 다른 극성 유기 용매;(h) 상기 조성물에 존재할 때, 2중량% 내지 12중량%의 양을 가지는 하나 이상의 3차 아민;(i) 상기 조성물에 존재할 때, 0.01중량% 내지 10중량%의 양을 가지는 하나 이상의 카테콜 또는 알킬 카테콜; 및(j) 상기 조성물에 존재할 때, 0.01중량% 내지 1중량%의 양을 가지는 하나 이상의 계면활성제를 포함하는, 제거 조성물.