유리, 실리콘, 동 및 니켈로부터 선택되는 하지 기재에 형성된 티타늄, 니오븀, 텅스텐, 몰리브덴, 루테늄, 로듐, 비소, 알루미늄 및 갈륨으로부터 선택되는 금속, 상기 금속의 산화물, 상기 금속의 질화물, 질화실리콘, 질화하프늄, 질화탄탈륨 또는 이들 합금 층을, 소정의 착화제를 함유하는 알칼리성 에칭액을 이용하여 선택적으로 에칭한다.
대표청구항▼
유리, 실리콘, 동 및 니켈로부터 선택되는 하지 기재에 형성된 티타늄, 니오븀, 텅스텐, 몰리브덴, 루테늄, 로듐, 비소, 알루미늄 및 갈륨으로부터 선택되는 금속, 상기 금속의 산화물, 상기 금속의 질화물, 질화실리콘, 질화하프늄, 질화탄탈륨 또는 이들 합금 층을, 하기 식(I) 및 (II)[식(I) 중, R1∼R3는 서로 같거나 상이한 것으로서, -Ra, -ORb, -OORc, -COORd, -COOORe, -CH2COORf, -CH2COOORg, -CRhO 또는 ―CH2CHCH3이다(Ra∼Rh는, 서로 같거나 상이한 것으로서,
유리, 실리콘, 동 및 니켈로부터 선택되는 하지 기재에 형성된 티타늄, 니오븀, 텅스텐, 몰리브덴, 루테늄, 로듐, 비소, 알루미늄 및 갈륨으로부터 선택되는 금속, 상기 금속의 산화물, 상기 금속의 질화물, 질화실리콘, 질화하프늄, 질화탄탈륨 또는 이들 합금 층을, 하기 식(I) 및 (II)[식(I) 중, R1∼R3는 서로 같거나 상이한 것으로서, -Ra, -ORb, -OORc, -COORd, -COOORe, -CH2COORf, -CH2COOORg, -CRhO 또는 ―CH2CHCH3이다(Ra∼Rh는, 서로 같거나 상이한 것으로서, 수소, 탄소수 1∼10의 포화 지방족기, 탄소수 1∼10의 불포화 지방족기, 또는 아릴기이다) ][식(11) 중, R4∼R7은 서로 같거나 상이한 것으로서, -Ri, -Rj, -OORk, -COORl, -COOORm, -CH2COORn, -CH2COOORo, -CRpO, -CH2CHCH3, -CN, -NC, -NO2,-F, -Cl, -Br, -I, -S02Rq이며(Ri∼Rq는, 서로 같거나 상이한 것으로서, 수소, 탄소수 1∼10의 포화 지방족기, 탄소수 1∼10의 불포화 지방족기, 또는 아릴기이다), X는 ―OH, -COOH 또는―COOOH이다]로 표시되는 화합물로부터 선택되는 착화제의 1종 이상을 본질적으로 함유하고, 알칼리성인 에칭액에 접촉시켜, 티타늄, 니오븀, 텅스텐, 몰리브덴, 루테늄, 로듐, 비소, 알루미늄 및 갈륨으로부터 선택되는 금속, 상기 금속의 산화물, 상기 금속의 질화물, 질화실리콘, 질화하프늄, 질화탄탈륨 또는 이들의 합금을 선택적으로 에칭하는 것을 특징으로 하는 에칭방법.
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