최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2014-0011084 (2014-01-29) | |
공개번호 | 10-2015-0090434 (2015-08-06) | |
등록번호 | 10-1625431-0000 (2016-05-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140011084 | |
발명자 / 주소 |
|
|
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
심사청구여부 | 있음 (2014-01-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
실시예는 쵸크랄스키법을 이용한 실리콘 단결정의 성장 방법에 있어서, 도가니 내의 실리콘 용융액에 시드를 담그고, 상기 시드를 회전시키면서 실리콘 단결정 잉곳의 넥과 숄더를 성장시키는 단계; 및 바디를 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 바디의 성장 단계에서 상기 도가니에 2500 가우스 내지 3500 가우스의 자기장을 인가하는 쵸크랄스키법을 이용한 실리콘 단결정의 성장 방법을 제공한다.
쵸크랄스키법을 이용한 실리콘 단결정의 성장 방법에 있어서,도가니 내의 실리콘 용융액에 시드를 담그고, 상기 시드를 회전시키면서 실리콘 단결정 잉곳의 넥과 숄더를 성장시키는 단계; 및바디를 성장시키는 단계를 포함하고,상기 바디의 성장 단계에서 상기 실리콘 용융액의 표면과 열 차폐재와의 사이에 불활성 기체를 4.0 m/s 내지 4.7m/s의 속도로 공급하는 쵸크랄스키법을 이용한 실리콘 단결정의 성장 방법.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.