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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0013991 (2014-02-07) | |
공개번호 | 10-2015-0093349 (2015-08-18) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140013991 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-02-07) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 탄화규소 전계효과 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 장치는 탄화규소 기판 상에 형성되는 에피탁시층, 에피탁시층의 일부에 형성되고, 제1 도핑 농도를 가지는 제1 웰 영역, 에피탁시층의 다른 일부에 형성되고, 제2 도핑 농도를 가지는 제2 웰 영역, 제1 웰 영역 내의 상부에 형성되는 도핑 영역, 제2 웰 영역 및 에피탁시층 상에 형성되는 게이트 산화막, 게이트 산화막 및 도핑 영역 상에 각각 형성되는 상부 금속막, 그리고 탄화규소 기판의 후면에 형성되는 하부 금속막을 포함한다. 본 발명에 의하면, 서로 다른 도핑
탄화규소 기판 상에 형성되는 에피탁시층,상기 에피탁시층의 일부에 형성되고, 제1 도핑 농도를 가지는 제1 웰 영역,상기 에피탁시층의 다른 일부에 형성되고, 제2 도핑 농도를 가지는 제2 웰 영역,상기 제1 웰 영역 내의 상부에 형성되는 도핑 영역,상기 제2 웰 영역 및 상기 에피탁시층 상에 형성되는 게이트 산화막, 상기 게이트 산화막 및 상기 도핑 영역 상에 각각 형성되는 상부 금속막, 그리고상기 탄화규소 기판의 후면에 형성되는 하부 금속막을 포함하는 탄화규소 전계효과 트랜지스터.
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