초록 ▼

본 발명의 일 측면에 따르면, Si 기판 상에 펄스 레이저 증착법에 의해 1 ×10-4 Torr의 진공 챔버하에서 Au를 증착하는 증착 과정을 포함하는 실리콘 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법에 있어서, 상기 Au 방울의 자발-형성된 나노 구조물에 대한 평균 높이, 측면 직경, 밀도, 표면적비 중 어느 하나 이상의 특성을 상기 증착 과정의 Au 증착량에 의하여 조절하는 것을 특징으로 하며, 상기 Au 증착량에 의하여 조절하는 것은, 열처리 온도는 일정한 상태에서 상기 Au 증착량을 0.5 ~ 20nm 범위에서 조절하는 것을 특징으

본 발명의 일 측면에 따르면, Si 기판 상에 펄스 레이저 증착법에 의해 1 ×10-4 Torr의 진공 챔버하에서 Au를 증착하는 증착 과정을 포함하는 실리콘 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법에 있어서, 상기 Au 방울의 자발-형성된 나노 구조물에 대한 평균 높이, 측면 직경, 밀도, 표면적비 중 어느 하나 이상의 특성을 상기 증착 과정의 Au 증착량에 의하여 조절하는 것을 특징으로 하며, 상기 Au 증착량에 의하여 조절하는 것은, 열처리 온도는 일정한 상태에서 상기 Au 증착량을 0.5 ~ 20nm 범위에서 조절하는 것을 특징으로 하며, 상기 증착된 Au 방울의 나노 구조물은 상기 Au 증착량이 4.5nm에서는상기 평균 높이는 증가하고 상기 밀도는 감소하도록 조절을 하며, 5nm ~ 20nm 범위의 증착량에서는 상기 평균 높이의 증가가 둔화되고 병합된 나노구조의 면적이 확장되고 상기 밀도가 감소하도록 조절하는 것을 특징으로 하되, 상기 Au 증착량이 16nm 이상에서는, 상기 나노 구조물이 하나의 층을 형성하고 새로운 층이 상기 하나의 층 상부에 형성되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법이 제공된다.

대표청구항 ▼

Si 기판 상에 펄스 레이저 증착법에 의해 1 ×10-4 Torr의 진공 챔버하에서 Au를 증착하는 증착 과정을 포함하는 실리콘 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법에 있어서,상기 Au 방울의 자발-형성된 나노 구조물에 대한 평균 높이, 측면 직경, 밀도, 표면적비 중 어느 하나 이상의 특성을 상기 증착 과정의 Au 증착량에 의하여 조절하는 것을 특징으로 하며,상기 Au 증착량에 의하여 조절하는 것은,열처리 온도는 일정한 상태에서 상기 Au 증착량을 0.5 ~ 20nm 범위에서 조절하는 것을 특징으로 하며,상기 증착된 Au 방울의 나

Si 기판 상에 펄스 레이저 증착법에 의해 1 ×10-4 Torr의 진공 챔버하에서 Au를 증착하는 증착 과정을 포함하는 실리콘 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법에 있어서,상기 Au 방울의 자발-형성된 나노 구조물에 대한 평균 높이, 측면 직경, 밀도, 표면적비 중 어느 하나 이상의 특성을 상기 증착 과정의 Au 증착량에 의하여 조절하는 것을 특징으로 하며,상기 Au 증착량에 의하여 조절하는 것은,열처리 온도는 일정한 상태에서 상기 Au 증착량을 0.5 ~ 20nm 범위에서 조절하는 것을 특징으로 하며,상기 증착된 Au 방울의 나노 구조물은 상기 Au 증착량이 4.5nm에서는상기 평균 높이는 증가하고 상기 밀도는 감소하도록 조절을 하며, 5nm ~ 20nm 범위의 증착량에서는 상기 평균 높이의 증가가 둔화되고 병합된 나노구조의 면적이 확장되고 상기 밀도가 감소하도록 조절하는 것을 특징으로 하되,상기 Au 증착량이 16nm 이상에서는, 상기 나노 구조물이 하나의 층을 형성하고 새로운 층이 상기 하나의 층 상부에 형성되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판상에 Au 방울의 성장 제어방법