초록 ▼

본 발명은 쿼츠 소재의 표면을 처리함에 있어 종래 샌드 블라스팅에 의한 물리적 에칭 공정에서의 문제점을 해소하여, 쿼츠 소재 튜브 내측 처리와 대형물 처리 그리고 다품 생산이 가능한 화학적 에칭을 통해 균일하고 미세한 음각 요철 형태를 용이하게 도출할 수 있는 쿼츠 소재의 표면 처리 방법, 표면 처리용 조성물 및 그에 의해 제조된 쿼츠 소재를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은, 쿼츠 소재의 표면을 처리하는 방법에 있어서, 마련된 쿼츠 소재에 대하여 구연산을 포함하는 에칭용 조성물을 마련하는 에칭용 조성물 마련 단계; 상기 에칭

본 발명은 쿼츠 소재의 표면을 처리함에 있어 종래 샌드 블라스팅에 의한 물리적 에칭 공정에서의 문제점을 해소하여, 쿼츠 소재 튜브 내측 처리와 대형물 처리 그리고 다품 생산이 가능한 화학적 에칭을 통해 균일하고 미세한 음각 요철 형태를 용이하게 도출할 수 있는 쿼츠 소재의 표면 처리 방법, 표면 처리용 조성물 및 그에 의해 제조된 쿼츠 소재를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은, 쿼츠 소재의 표면을 처리하는 방법에 있어서, 마련된 쿼츠 소재에 대하여 구연산을 포함하는 에칭용 조성물을 마련하는 에칭용 조성물 마련 단계; 상기 에칭용 조성물을 통해 쿼츠 소재를 에칭하는 에칭 처리 단계; 상기 쿼츠 소재의 표면을 세정하는 세정 단계; 상기 쿼츠 소재의 표면에 대해 표면 조도를 조정하는 표면 조도 조정 단계; 상기 쿼츠 소재의 표면을 세정하는 최종 세정 단계; 및 상기 쿼츠 소재를 건조시키는 최종 건조 단계를 포함하는 쿼츠 소재의 표면 처리 방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

반도체 제조 장비용 쿼츠 소재의 표면을 처리하는 방법에 있어서,마련된 쿼츠 소재에 대하여 구연산을 포함하는 에칭용 조성물을 마련하는 에칭용 조성물 마련 단계;상기 에칭용 조성물을 통해 상기 쿼츠 소재의 표면을 요철(엠보싱) 형태로 에칭하는 1차 에칭 처리 단계;상기 쿼츠 소재의 표면을 세정하는 세정 단계;상기 쿼츠 소재의 표면에 대해 평균 조도 0.5~2.0um 범위로 조정하는 표면 조도 조정 단계;상기 쿼츠 소재의 표면을 세정하는 최종 세정 단계; 및상기 쿼츠 소재를 건조시키는 최종 건조 단계를 포함하고, 상기 에칭용 조성물은 제

반도체 제조 장비용 쿼츠 소재의 표면을 처리하는 방법에 있어서,마련된 쿼츠 소재에 대하여 구연산을 포함하는 에칭용 조성물을 마련하는 에칭용 조성물 마련 단계;상기 에칭용 조성물을 통해 상기 쿼츠 소재의 표면을 요철(엠보싱) 형태로 에칭하는 1차 에칭 처리 단계;상기 쿼츠 소재의 표면을 세정하는 세정 단계;상기 쿼츠 소재의 표면에 대해 평균 조도 0.5~2.0um 범위로 조정하는 표면 조도 조정 단계;상기 쿼츠 소재의 표면을 세정하는 최종 세정 단계; 및상기 쿼츠 소재를 건조시키는 최종 건조 단계를 포함하고, 상기 에칭용 조성물은 제1 에칭용 조성물을 포함하고, 상기 제1 에칭용 조성물은 불산(HF 50% solution): 1~10 중량%; 탈이온수(18MΩ 이상): 5~15 중량%; 산성불화암모늄(NH4HF2): 25~35 중량%; 포름산(HCOOH): 40~60 중량%; 및 구연산(C6H8O7): 0.1~5 중량%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비용 쿼츠 소재의 표면 처리 방법.