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고전압 MOSFET 및 이의 제조방법과 문턱전압이하 험프 개선 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-029/78
  • H01L-021/336
출원번호 10-2014-0047932 (2014-04-22)
공개번호 10-2015-0122295 (2015-11-02)
DOI http://doi.org/10.8080/1020140047932
발명자 / 주소
  • 백기주 / 경상남도 창원시 성산구 충혼로***번길 *-**
  • 김영석 / 충북 청주시 서원구 성봉로***번길 **-*
출원인 / 주소
  • 충북대학교 산학협력단 / 충청북도 청주시 서원구 충대로 * (개신동)
대리인 / 주소
  • 추혁; 박종경; 원성수
심사청구여부 있음 (2014-04-22)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록 ▼

본 발명은 고전압 MOSFET 및 이의 제조방법과 문턱전압이하 험프 개선 방법에 관한 것으로서, 격리 영역과 채널 영역으로 구분되어 있는 반도체 기판과, 격리 영역의 상부 코너(Top Corner)에서 게이트 일함수가 국부적으로 변경되어 형성된 게이트와, 채녈 영역에 형성된 소스 및 드레인을 포함하고, 이의 제조방법에 있어, 반도체 기판에 격리 영역과 채널 영역으로 구분 형성하고, 격리 영역을 포함한 채널 영역 상에 형성된 게이트에 이온 도핑한 후, 소스 및 드레인을 형성시, 격리 영역의 상부 코너(Top Corner)에 게이트 일

대표청구항

격리 영역과 채널 영역으로 구분되어 있는 반도체 기판;상기 격리 영역의 상부 코너(Top Corner)에서 게이트 일함수가 국부적으로 변경되어 형성된 게이트; 및상기 채녈 영역에 형성된 소스 및 드레인을 포함하는 고전압 MOSFET.

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