[특허]파워 소자 형성 방법

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IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/78
출원번호	10-2002-0037423 (2002-06-29)
공개번호	10-2004-0002065 (2004-01-07)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020020037423
발명자 / 주소	백기주 / 경상남도창원시반림동현대아파트*-*
출원인 / 주소	주식회사 하이닉스반도체 / 경기 이천시 부발읍 아미리 산**-
대리인 / 주소	강용복; 김용인 (KANG, Yong Bok) 서울 강남구 역삼동 - 여삼빌딩 층 (특허법률사무소); 서울 강남구 역삼동 *- 여삼빌딩 층(*특허법률사무소)
심사청구여부	있음 (2002-06-29)
심사진행상태	거절결정(일반)
법적상태	거절

초록 ▼

본 발명은 고전압, 고전류 구동에 적합한 소자인 파워 소자 형성 방법에 관한 것으로, 기판 상에 에피층을 형성하는 단계와, 상기 에피층 상에 게이트 절연막, 게이트 전극용 폴리 실리콘, 제 1 산화막, 질화막, 제 2 산화막을 차례로 증착한 후 이를 선택적으로 제거하여 게이트 전극의 폭만큼 남기는 단계와, 상기 제 2 산화막 마스크로 하여 상기 에피층 표면에 불순물을 주입하여 웰을 형성하는 단계와, 상기 제 2 산화막 이하 게이트 절연막까지의 구조물 측면에 측벽 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 측벽 스페이서를 마스크로 하여 불순물을 주입하여 제 1형의 소오스를 형성하는 단계와, 상기 소오스 상부에 RF 식각법으로 세정 공정을 진행하는 단계와, 상기 측벽 스페이서를 포함한 기판 전면에 단일막의 배리어 금속막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

기판 상에 에피층을 형성하는 단계;상기 에피층 상에 게이트 절연막, 게이트 전극용 폴리 실리콘, 제 1 산화막, 질화막, 제 2 산화막을 차례로 증착한 후 이를 선택적으로 제거하여 게이트 전극의 폭만큼 남기는 단계;상기 제 2 산화막 마스크로 하여 상기 에피층 표면에 불순물을 주입하여 웰을 형성하는 단계;상기 제 2 산화막 이하 게이트 절연막까지의 구조물 측면에 측벽 스페이서를 형성하는 단계;상기 측벽 스페이서를 마스크로 하여 불순물을 주입하여 소오스를 형성하는 단계;상기 소오스 상부에 RF 식각법으로 세정 공정을 진행하는 단계;상

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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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