하야시 가즈유키
/ 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고 아사히 가라스 가부시키가이샤 나이
출원인 / 주소
아사히 가라스 가부시키가이샤 / 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *방 *고
대리인 / 주소
특허법인코리아나
심사진행상태
취하(심사미청구)
법적상태
취하
초록▼
(과제) 반사층과 흡수층의 위상차를 180°근방의 범위로 하는 것과 함께, 흡수층의 막두께 변화에 대하여 반사층과 흡수층의 위상차의 변화가 작아지도록 제어된 흡수층의 구조를 구비함으로써, 종래의 흡수층보다 더욱 박막화를 기대할 수 있는 EUV 마스크 블랭크의 제공.(해결수단) 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서대로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 흡수층이, 표면측의 층 (상층) 과 기판측의 층 (하층) 으로 구성되고, 상기 흡수층의 상층 및 하층 중 일방이,
(과제) 반사층과 흡수층의 위상차를 180°근방의 범위로 하는 것과 함께, 흡수층의 막두께 변화에 대하여 반사층과 흡수층의 위상차의 변화가 작아지도록 제어된 흡수층의 구조를 구비함으로써, 종래의 흡수층보다 더욱 박막화를 기대할 수 있는 EUV 마스크 블랭크의 제공.(해결수단) 기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서대로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 흡수층이, 표면측의 층 (상층) 과 기판측의 층 (하층) 으로 구성되고, 상기 흡수층의 상층 및 하층 중 일방이, 크롬 (Cr) 을 주성분으로 하고, 산소 (O) 및 질소 (N) 중 적어도 일방을 함유하는 Cr 계 막이고, 타방이, 탄탈 (Ta) 및 팔라듐 (Pd) 을 주성분으로 하고, 산소 (O) 및 질소 (N) 중 적어도 일방을 함유하는 TaPd 계 막이고, 상기 흡수층이, 하기 (1) ∼ (5) 를 만족하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.(1) 상기 흡수층의 합계 막두께 (L) 가 30 ㎚ 이상 45 ㎚ 이하이다.(2) 상기 TaPd 계 막의 막두께가 8 ㎚ 이상 36 ㎚ 이하이다.(3) 상기 흡수층의 표면에 있어서의 EUV 광의 피크 반사율이 5 ％ 이상 12 ％ 이하이다.(4) 상기 반사층의 표면에 있어서의 EUV 반사광과, 상기 흡수층의 표면에 있어서의 EUV 반사광의 위상차 (φ) 가 180°±10°의 범위 내이다.(5) 상기 흡수층의 합계 막두께 (L) 의 변화 (ΔL) 에 대한 상기 위상차 (φ) 의 변화 (Δφ) 의 구배 (Δφ/ΔL) 가 15 deg/㎚ 이하이다.
대표청구항▼
기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서대로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 흡수층이, 표면측의 층 (상층) 과 기판측의 층 (하층) 으로 구성되고, 상기 흡수층의 상층 및 하층 중 일방이, 크롬 (Cr) 을 주성분으로 하고, 산소 (O) 및 질소 (N) 중 적어도 일방을 함유하는 Cr 계 막이고, 타방이, 탄탈 (Ta) 및 팔라듐 (Pd) 을 주성분으로 하고, 산소 (O) 및 질소 (N) 중 적어도 일방을 함유하는 TaPd 계 막이고, 상기 흡수층이, 하기 (1
기판 상에, EUV 광을 반사하는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서대로 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 흡수층이, 표면측의 층 (상층) 과 기판측의 층 (하층) 으로 구성되고, 상기 흡수층의 상층 및 하층 중 일방이, 크롬 (Cr) 을 주성분으로 하고, 산소 (O) 및 질소 (N) 중 적어도 일방을 함유하는 Cr 계 막이고, 타방이, 탄탈 (Ta) 및 팔라듐 (Pd) 을 주성분으로 하고, 산소 (O) 및 질소 (N) 중 적어도 일방을 함유하는 TaPd 계 막이고, 상기 흡수층이, 하기 (1) ∼ (5) 를 만족하는 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크.(1) 상기 흡수층의 합계 막두께 (L) 가 30 ㎚ 이상 45 ㎚ 이하이다.(2) 상기 TaPd 계 막의 막두께가 8 ㎚ 이상 36 ㎚ 이하이다.(3) 상기 흡수층의 표면에 있어서의 EUV 광의 피크 반사율이 5 ％ 이상 12 ％ 이하이다.(4) 상기 반사층의 표면에 있어서의 EUV 반사광과, 상기 흡수층의 표면에 있어서의 EUV 반사광의 위상차 (φ) 가 180°±10°의 범위 내이다.(5) 상기 흡수층의 합계 막두께 (L) 의 변화 (ΔL) 에 대한 상기 위상차 (φ) 의 변화 (Δφ) 의 구배 (Δφ/ΔL) 가, 15 deg/㎚ 이하이다.
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