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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0064789 (2014-05-29) | |
등록번호 | 10-1497339-0000 (2015-02-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140064789 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-05-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명에 따라서, 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터의 게이트에 직렬 접속되는 수소 감지부를 포함하고, 상기 수소 감지부는 Pd 박막과, 상기 Pd 박막 아래에 형성되는 절연막과, 상기 절연막 아래에 형성되는 금속막을 포함하는 Pd-MIM(metal-insulator-metal) 구조를 갖고 있으며, 상기 Pd 박막이 상기 박막 트랜지스터의 게이트에 접속되며, 상기 수소 감지부가 수소 환경에 노출되면, 상기 Pd 박막이 부풀어올라 상기 절연막으로부터 부분적으로 분리되어, 상기 Pd 박막과 절연막 사이에서 커패시턴스 변화를 야
박막 트랜지스터와,상기 박막 트랜지스터의 게이트에 직렬 접속되는 수소 감지부를 포함하고,상기 수소 감지부는Pd 박막과,상기 Pd 박막 아래에 형성되는 절연막과,상기 절연막 아래에 형성되는 금속막을 포함하는 Pd-MIM(metal-insulator-metal) 구조를 갖고 있으며,상기 Pd 박막이 상기 박막 트랜지스터의 게이트에 접속되며,상기 수소 감지부가 수소 환경에 노출되면, 상기 Pd 박막이 부풀어올라 상기 절연막으로부터 부분적으로 분리되어, 상기 Pd 박막과 절연막 사이에서 커패시턴스 변화를 야기하고, 이 커패시턴스 변화를 통
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