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연합인증

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이온 소스 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01J-027/02
출원번호 10-2014-0082755 (2014-07-02)
공개번호 10-2014-0145568 (2014-12-23)
등록번호 10-1637158-0000 (2016-07-01)
DOI http://doi.org/10.8080/1020140082755
발명자 / 주소
  • 허윤성 / 경기도 안양시 동안구 귀인로 ***, ***동 ****호 (평촌동,향촌아파트)
  • 황윤석 / 서울특별시 서초구 서초대로**길 **-**, ***동 ****호 (서초동, 서초래미안아파트)
출원인 / 주소
  • (주)화인솔루션 / 경기도 수원시 권선구 오목천로***번길 **(고색동,*층)
대리인 / 주소
  • 김태수
심사청구여부 있음 (2014-07-02)
심사진행상태 등록결정(취소환송후)
법적상태 등록

초록

이온 소스는 자기장부, 전극, 가스 주입부를 갖는다. 자기장부는 피처리물을 향하는 일측은 개방되고 타측은 폐쇄되며, 개방 일측에는 다수의 자극이 교대로 이격 배치되고, 폐쇄 타측에는 자심으로 연결되어, 개방 일측에서 플라즈마 전자의 가속 폐 루프를 형성한다. 전극은 자기장부의 가속 폐 루프의 하부에 자기장부와 이격 배치된다. 가스 주입부는 자극을 관통하여 가속 폐 루프의 방향으로 가스를 공급한다.

대표청구항

이온 소스에 있어서,피처리물을 향하는 일측은 개방되고 타측은 폐쇄되며, 상기 개방 일측에는 중앙의 중앙 자극과 상기 중앙 자극을 둘러싸는 외측 자극이 이격 배치되고, 상기 폐쇄 타측에는 상기 중앙 자극과 상기 외측 자극을 자기 결합하는 자심이 배치되어, 상기 개방 일측에서 플라즈마 전자의 가속 폐 루프를 형성하는 자기장부;상기 자기장부 내에 구비되고, 상기 가속 폐 루프의 하부에 상기 자기장부와 이격 배치되는 전극; 및상기 자기장부 내에 형성되고, 상기 외측 자극을 관통하여 상기 가속 폐 루프의 방향으로 가스를 공급하는 가스 주입부

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 플라즈마 처리장치 | 미우라유다카, 호소다쇼조, 아라이이즈미, 다하라요시후미, 니시카와히로시, 미다노요시노부, 후카사와가즈오, 이이무로 슌니찌
  2. [미국] Closed drift ion source | Madocks, John
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