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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0094007 (2014-07-24) | |
공개번호 | 10-2016-0012492 (2016-02-03) | |
등록번호 | 10-1658066-0000 (2016-09-09) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140094007 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-07-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 ArF 이머젼 포토레지스트(Immersion Photoresist) 중 네거티브 톤 현상(Negative Tone Development) 포토레지스트에 이용될 수 있는 미세 패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관한 것으로서, 상기 미세 패턴 형성용 코팅 조성물은 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 반복 단위 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 제1 반복 단위를 포함하는 수지를 포함한다.상기 화학식 1 내지 화학식 3은 발명의 상세한 설명에 기재된 바와 동일하다.상기 미
포토레지스트 패턴 상에 코팅되어 패턴 사이의 거리를 감소시키는 미세 패턴 형성용 코팅 조성물로서,하기 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 반복 단위 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 제1 반복 단위, 그리고하기 화학식 4 및 화학식 5로 표시되는 반복 단위, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 제2 반복 단위를 포함하는 수지를 포함하는 미세 패턴 형성용 코팅 조성물.[화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4][화학식 5](상기 화학식 4에 있어서, 상기 n1은 0 내지 5의 정
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