초록 ▼

본 발명은 액정표시 장치 또는 유기EL 표시 장치용 고내열성 실세스퀴녹산 (Silsesquinoxane)계 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 포지티브 레지스트 절연막에 관한 것으로 상세하게는 박막트랜지스터 (TFT)의 비아 홀 (via hole)을 형성하는 절연막으로 사용이 가능하고, 또한 유기EL 표시 장치의 화소를 구분하는 격벽 (Bank) 패턴 형성용 절연막으로 동시에 사용이 가능한 고내열성, 저유전 특성의 실세스퀴녹산계 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.본 발명의 포지티브 레지스트 조성물은, (a) 대표적으로 카르복시산

본 발명은 액정표시 장치 또는 유기EL 표시 장치용 고내열성 실세스퀴녹산 (Silsesquinoxane)계 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 포지티브 레지스트 절연막에 관한 것으로 상세하게는 박막트랜지스터 (TFT)의 비아 홀 (via hole)을 형성하는 절연막으로 사용이 가능하고, 또한 유기EL 표시 장치의 화소를 구분하는 격벽 (Bank) 패턴 형성용 절연막으로 동시에 사용이 가능한 고내열성, 저유전 특성의 실세스퀴녹산계 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.본 발명의 포지티브 레지스트 조성물은, (a) 대표적으로 카르복시산 또는 페놀기 말단과 같이 알칼리 수용액에 현상이 가능한 유기 실란 단량체; (b) 각종 기능성 유기 실란계 화합물을 포함하는 단량체들을 졸-겔 반응법으로 공중합시켜 제조되는 실세스퀴녹산계 공중합체를 바인더 수지로 사용하고 나프토퀴논 디아지드 술폰산 에스테르기가 치환된 구조의 감광제를 혼합하여 제조된 포지티브 레지스트 조성물이다.본 발명의 포지티브 레지스트 조성물은 TMAH (tetramethylammonium hydroxide), KOH, Na2CO3 등 현재 양산 공정에 사용 중인 묽은 알칼리 수계 현상액으로 현상이 가능하여 고해상도의 패턴 형성이 용이하고 고감도, 내열성 및 전기절연성이 우수하다.

대표청구항 ▼

하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3을 혼합하여 공중합한 폴리실세스퀴녹산계 공중합체: [화학식 1]R1-R2-Si(R3)3[화학식 2]R4-R5-Si(R6)3 [화학식 3](R7)3Si-R8-Si(R7)3여기서,R1은 무수말레인산, 무수이타콘산, 무수숙신산 및 무수프탈산으로 이루어진 군으로부터 선택되고,R2, R5 및R8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12개의 선형 또는 분지형 알킬렌기, 탄소수 6 내지 18개의 방향족 탄화수소, 또는 탄소수 3 내지 18개의 지환족 탄화수소이고,R3, R6 및 R7은 각각 독립적으로 탄

하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3을 혼합하여 공중합한 폴리실세스퀴녹산계 공중합체: [화학식 1]R1-R2-Si(R3)3[화학식 2]R4-R5-Si(R6)3 [화학식 3](R7)3Si-R8-Si(R7)3여기서,R1은 무수말레인산, 무수이타콘산, 무수숙신산 및 무수프탈산으로 이루어진 군으로부터 선택되고,R2, R5 및R8은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12개의 선형 또는 분지형 알킬렌기, 탄소수 6 내지 18개의 방향족 탄화수소, 또는 탄소수 3 내지 18개의 지환족 탄화수소이고,R3, R6 및 R7은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4개의 알콕시기이며,R4는 수소, 탄소수 1 내지 5개의 선형 또는 분지형 알킬기, 페닐, 비페닐, 시클로헥실,비시클로헥실, 글리시딜옥시, 시클로헥실에폭시, 옥세탄, 아크릴옥시, 메타아크릴옥시, 트리플로로메틸, 비닐, 탄소수 1 내지 4개의 알콕시기, 및 이소시안으로 이루어진 군으로부터 선택된다.