초록 ▼

본 발명은 액정디스플레이, OLED, 터치패널, 전자종이, 플렉서블디스플레이 등에 응용 가능한 고내열성 및 저유전 폴리실세스퀴옥산 수지 조성물 및 이를 포함하는 차광용 블랙 레지스트 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 1) 극성의 헤테로환 구조를 포함하고 자외선에 경화가 가능한 폴리실세스퀴옥산 랜덤 공중합체 수지 조성물; 2) 상기 폴리실세스퀴옥산 수지로 분산 시켜 피복 처리한 카본 블랙 분산액; 3) 광개시제를 포함하는 고내열 및 저유전 특성의 차광용 블랙 레지스트 조성물에 관한 것이다. 기존 아크릴 내지는 카도계

본 발명은 액정디스플레이, OLED, 터치패널, 전자종이, 플렉서블디스플레이 등에 응용 가능한 고내열성 및 저유전 폴리실세스퀴옥산 수지 조성물 및 이를 포함하는 차광용 블랙 레지스트 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 1) 극성의 헤테로환 구조를 포함하고 자외선에 경화가 가능한 폴리실세스퀴옥산 랜덤 공중합체 수지 조성물; 2) 상기 폴리실세스퀴옥산 수지로 분산 시켜 피복 처리한 카본 블랙 분산액; 3) 광개시제를 포함하는 고내열 및 저유전 특성의 차광용 블랙 레지스트 조성물에 관한 것이다. 기존 아크릴 내지는 카도계 블랙 레지스트와 비교하면 본 발명의 블랙 레지스트 수지 조성물은 350도 이상의 고온 후 공정에도 내열성이 우수하며, 광학밀도 (O.D.) 저하가 없으며 저유전 특성을 동시에 만족할 수 있다.

대표청구항 ▼

하기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 구조를 포함하는 폴리실세스퀴옥산 랜덤 공중합체:[화학식 1]여기서,X는 결합, 직쇄형 또는 분지형의 C1-20의 알킬렌기, C2-20의 알케닐렌기, C2-20의 알키닐렌기, C6-18의 아릴렌기, 옥사(Oxa) 및 카보닐기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R1, R2, R4 및 R5는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 직쇄형 또는 분지형의 C1-20의 알킬기, C2-20의 알케닐기, 카보닐기, C3-40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, 핵원자수

하기 화학식 1로 표시되는 헤테로환 구조를 포함하는 폴리실세스퀴옥산 랜덤 공중합체:[화학식 1]여기서,X는 결합, 직쇄형 또는 분지형의 C1-20의 알킬렌기, C2-20의 알케닐렌기, C2-20의 알키닐렌기, C6-18의 아릴렌기, 옥사(Oxa) 및 카보닐기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R1, R2, R4 및 R5는 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 직쇄형 또는 분지형의 C1-20의 알킬기, C2-20의 알케닐기, 카보닐기, C3-40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알케닐기, C6-18의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고,R3는 직쇄형 또는 분지형의 C1-20의 알킬기, C2-20의 알케닐기, 카보닐기, C3-40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알케닐기, C6-18의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되고상기 알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 헤테로시클로알케닐기, 아릴기, 카보닐기 및 헤테로아릴기는 각각 독립적으로, 중수소, 할로겐, 하이드록시, -CN, 직쇄형 또는 분지형의 C1-12의 알킬기, C2-20의 알케닐기 및 C1-6의 알콕시기, 카보닐기, 아민기, 이소시아네이트기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알케닐기, 술폰산기, C6-18의 아릴기, -N3, -CONH2, -OR', -NR'R", -SH 및 -NO2로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상으로 치환될 수 있으며, 이때, 복수개의 치환기로 치환될 경우 이들은 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 상기 R' 및 R"은 수소, 중수소, 직쇄형 또는 분지형의 C1-20의 알킬기, C2-20의 알케닐기, C3-40의 시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬기, 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알케닐기, C6-18의 아릴기 및 핵원자수 5 내지 60의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되며,n은 화학식 1의 중량평균(Mw) 분자량 500 내지 50,000을 만족시키는 유리수이다.