초록 ▼

본 개시는 과불화 화합물(PFCs)의 효과적인 처리가 가능한 구조를 가지는 공정 폐 가스 처리장치에 관한 것으로서, 본 개시의 일 태양에 따르면(According to one aspect of the present disclosure), 내부에 반응공간을 가지는 반응챔버; 상기 반응챔버의 일 측에 배치되고, 상기 반응공간을 향하는 플라스마 화염을 발생시키는 플라스마 발생기; 및 상기 반응챔버와 별도로 구비되는 공정챔버의 공정 진행에 사용된 프로세스가스와, 상기 공정챔버의 세정에 사용된 세정가스를 상기 반응공간으로 분리 공급하되, 상

본 개시는 과불화 화합물(PFCs)의 효과적인 처리가 가능한 구조를 가지는 공정 폐 가스 처리장치에 관한 것으로서, 본 개시의 일 태양에 따르면(According to one aspect of the present disclosure), 내부에 반응공간을 가지는 반응챔버; 상기 반응챔버의 일 측에 배치되고, 상기 반응공간을 향하는 플라스마 화염을 발생시키는 플라스마 발생기; 및 상기 반응챔버와 별도로 구비되는 공정챔버의 공정 진행에 사용된 프로세스가스와, 상기 공정챔버의 세정에 사용된 세정가스를 상기 반응공간으로 분리 공급하되, 상기 프로세스가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 낮은 저온 화염부를 향하여 공급하고, 상기 세정가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 높은 고온 화염부를 향하여 공급하는 분리공급유닛;을 포함하는 공정 폐 가스 처리장치가 제공된다.

대표청구항 ▼

내부에 반응공간을 가지는 반응챔버; 상기 반응챔버의 일 측에 배치되고, 상기 반응공간을 향하는 플라스마 화염을 발생시키는 플라스마 발생기; 및상기 반응챔버와 별도로 구비되는 공정챔버의 공정 진행에 사용된 프로세스가스와, 상기 공정챔버의 세정에 사용된 세정가스를 상기 반응공간으로 분리 공급하되, 상기 프로세스가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 낮은 영역으로서 상기 플라스마 화염의 길이방향으로 상기 플라스마 발생기로부터 거리가 가장 먼 끝인 단부로 정의되는 저온 화염부를 향하여 공급하고, 상기 세정가스는 상기 플라스마 화염

내부에 반응공간을 가지는 반응챔버; 상기 반응챔버의 일 측에 배치되고, 상기 반응공간을 향하는 플라스마 화염을 발생시키는 플라스마 발생기; 및상기 반응챔버와 별도로 구비되는 공정챔버의 공정 진행에 사용된 프로세스가스와, 상기 공정챔버의 세정에 사용된 세정가스를 상기 반응공간으로 분리 공급하되, 상기 프로세스가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 낮은 영역으로서 상기 플라스마 화염의 길이방향으로 상기 플라스마 발생기로부터 거리가 가장 먼 끝인 단부로 정의되는 저온 화염부를 향하여 공급하고, 상기 세정가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 높은 영역으로서 상기 플라스마 발생기에 인접한 상기 플라스마 화염의 중심부로 정의되는 고온 화염부를 향하여 공급하는 분리공급유닛;을 포함하며,상기 프로세스가스는, SiH4 , NH3 및 Ar중 적어도 하나를 포함하고,상기 세정가스는, 과불화 화합물(PFCs)을 포함하며,상기 세정가스는, 상기 고온 화염부로 공급되기 전에 상기 반응공간에서 예열 되는 것을 특징으로 하는 공정 폐 가스 처리장치.